磁控溅射法制备薄膜材料实验报告..docx

实验一磁控溅射法制备薄膜材料一、实验目地1、详细掌握磁控溅射制备薄膜地原理与实验程序；2、制备出一种金属膜，如金属铜膜；3、测量制备金属膜地电学性能与光学性能；4、掌握实验数据处理与分析方法，并能利用 Origin绘图软件对实验数据进行处理与分析；二、实验仪器磁控溅射镀膜机一套、万用电表一架、紫外可见分光光度计一台；玻璃基片、金属铜靶、氩气等实验耗材；三、实验原理1、磁控溅射镀膜原理（1）辉光放电溅射为建立在气体辉光放电地基础上，辉光放电为只在真空度约为几帕地稀 实验一 磁控溅射法制备薄膜材料 一、实验目地 1 、详细掌握磁控溅射制备薄膜地原理与实验程序； 2 、制备出一种金属膜，如金属铜膜； 3 、测量制备金属膜地电学性能与光学性能； 4 、掌握实验数据处理与分析方法， 并能利用 Origin 绘图软件对实验数据进 行处理与分析； 二、实验仪器 磁控溅射镀膜机一套、万用电表一架、紫外可见分光光度计一台；玻璃基 片、金属铜靶、氩气等实验耗材； 三、实验原理 1、磁控溅射镀膜原理 （1）辉光放电 溅射为建立在气体辉光放电地基础上，辉光放电为只在真空度约为几帕地稀 薄气体中， 两个电极之间加上电压时产生地一种气体放电现象； 辉光放电时， 两 个电极间地电压与电流关系关系不能用简单地欧姆定律来描述，以气压为 1.33Pa 地 Ne 为例，其关系如图 5 -1 所示； 图 5-1 气体直流辉光放电地形成 当两个电极加上一个直流电压后，由于宇宙射线产生地游离离子与电子有 限，开始时只有很小地溅射电流； 随着电压地升高， 带电离子与电子获得足够能 量，与中性气体分子碰撞产生电离， 使电流逐步提高， 但为电压受到电源地高输 名师归纳总结——大肚能容，容学习困难之事，学习有成 第 1 页，共 7 页 出阻抗限制而为一常数，该区域称为“汤姆森放电”区；一旦产生了足够多地离子与电子后，放电达到自持，气体开始起辉，出现电压降低；进一步增加电源功率，电压维持不变，电流平稳增加，该区称为“正常辉光放电”区；当离子轰击覆盖了整个阴极表面后，继续增加电源功率，可同时提高放电区内地电压与电流密度，形成均匀稳定地“异常辉光放电”，这个放电区就为通常使用地溅射区域；随后继续增加电压， 当电流密度增加到～ 0.1A/cm 2 时，电压开始急剧降低， 出阻抗限制而为一常数，该区域称为“汤姆森放电”区；一旦产生了足够多地离 子与电子后，放电达到自持，气体开始起辉，出现电压降低；进一步增加电源功 率，电压维持不变，电流平稳增加，该区称为“正常辉光放电”区；当离子轰击 覆盖了整个阴极表面后，继续增加电源功率，可同时提 高放电区内地电压与电 流密度，形成均匀稳定地“异常辉光放电” ，这个放电区就为通常使用地溅射区 域；随后继续增加电压， 当电流密度增加到～ 0.1A/cm 2 时，电压开始急剧降低， 出现低电压大电流地弧光放电，这在溅射中应力求避免； （ 2）溅射 通常溅射所用地工作气体为纯氩， 辉光放电时， 电子在电场地作用下加速飞 向基片地过程中与氩原子发生碰撞， 电离出大量地氩离子与电子， 电子飞向基片； 氩离子在电场地作用下加速轰击靶材， 溅射出大量地靶材原子， 这些被溅射出来 地原子具有一定地动能， 并会沿着一定地方向射向衬底， 从而被吸附在衬底上沉 积成膜；这就为简单地“二级直流溅射” ； （ 3）磁控溅射 通常地溅射方法，溅射沉积效率不高；为了提高溅射效率，经常采用磁控 溅射地方法； 磁控溅射地目地为增加气体地离化效率， 其基本原理为在靶面上建 立垂直与电场地一个环形封闭磁场， 将电子约束在靶材表面附近， 延长其在等离 子体中地运动轨迹， 提高它参与气体分子碰撞与电离过程地几率， 从而显著提高 溅射效率与沉积速率， 同时也大大提高靶材地利用率； 其基本原理示意见图 5-2 ； 图 5-2 磁控溅射镀膜原理 磁控溅射能极大地提高薄膜地沉积速度， 改善薄膜地性能； 这为由于在磁控 名师归纳总结——大肚能容，容学习困难之事，学习有成 第 2 页，共 7 页 溅射时气体压力减小了， 使薄膜中嵌入地气体杂质减少，薄膜表面气孔减少而密实，膜面均匀一致；磁控溅射可以分为直流磁控溅射与射频磁控溅射，射频磁控溅射中， 射频电源地频率通常在5 ～ 30MHz；溅射过程中还可以同时通入少量活性气体（如氧气），使它与靶材原子在基片上形成化合物薄膜（氧化物薄膜），这就为反应溅射；2、溅射装备以平面溅射方式为例，如图5-3所示地溅射装置图；在真空室中，基片与 溅射时气体压力减小了， 使薄膜中嵌入地气体杂质减少， 薄膜表面气孔减少而密 实，膜面均匀一致； 磁控溅射可以分为直流磁控溅射与射频磁控溅射， 射频磁控溅射中， 射频电 源地频率通常在 5 ～ 30MHz；溅射过程中还可以同时通入