半导体二极管及其应用电路 PPT.pptxVIP

半导体二极管及其应用电路;;半导体的导电机理不同于其它物质,因此它具有不同于其它物质的特点。例如:;本征半导体;本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅与锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子特别难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子特别少,因此本征半导体的导电能力特别弱。;本征半导体的导电机理;;在本征半导体中不断地进行着激发与复合两种相反的过程,当温度一定时,两种状态达到动态平衡,即本征激发产生的电子-空穴对,与复合的电子-空穴对数目相等,这种状态称为热平衡状态。;2、本征半导体的导电机理; 温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。;杂质半导体;N 型半导体;;P 型半导体;杂质半导体的示意表示法;;;;;1、空间电荷区中没有载流子。;PN结的单向导电性;;二、PN 结反向偏置;PN结的温度特性;当PN结外加反向电压时,流过PN结的反向电流特别小,但当反向电压不断增大,超过某一电压值时, 反向电流将急剧增加,这种现象称为PN结的反向击穿。 反向电流急剧增加时所对应的反向电压U(BR)称为反向击穿电压。;在掺杂浓度较低的PN结中,随着反向电压逐渐增大,空间电荷区(即阻挡层)变宽,内电场加强,使参加漂移运动的载流子加速,动能加大。当反向电压增大到一定数值时,载流子获得的动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来,产生电子-空穴对。 新产生的载流子被电场加速后,又碰撞其它中性原子,又产生新的电子-空穴对。如此连锁反应,造成载流子急剧增多,使反向电流“滚雪球”般地骤增,通常将这种反向击穿称为雪崩击穿。;当PN结两边的掺杂浓度特别高时,阻挡层将变得特别薄。这时只要加上不大的反向电压(如4 V以下),阻挡层就估计获得2×106 V/cm以上的电场强度, 该场强足以直截了当破坏共价键,把价电子从共价键中拉出来,从而获得大量的电子-空穴对,引起PN结中的反向电流急剧增大,这种反向击穿现象称为齐纳击穿。;通常情况下,反向击穿电压在7 V以上属于雪崩击穿,4V以下属于齐纳击穿,在4－7 V??间的击穿则两种情况都有。 不管哪种击穿,只要PN结不因电流过大而产生过热损坏,当反向电压降到击穿电压以下(均指绝对值)时,其性能又可恢复到击穿前的情况。 ;当PN结正偏时,PN结导通,电阻特别小; 当PN结反偏时,PN结截至,电阻较大,PN结表现出非线性电阻特性。;二极管的电容特性;PN结的结电容Cj为势垒电容Cb与扩散电容Cd之与,即 ;当PN结反偏时,结电阻较大,PN结本应不导通;若作用于PN结的交变电压频率高到一定程度,使:;5、2 半导体二极管;;;主要参数;3、 反向击穿特性与最大工作电压URM;半导体二极管的等效电路;2、 考虑正向压降的等效电路;5、3 单相整流滤波电路;单相半波整流电压波形:;输出电压平均值(Uo),输出电流平均值(Io ):;二极管上的平均电流及承受的最高反向电压:;单相桥式整流电路;+;-;;几种常见的硅整流桥外形:;滤波电路;电容滤波电路;RL接入(且RLC较大)时 (忽略整流电路内阻);为了得到较好的滤波效果,C应满足:;电感滤波电路;电感滤波原理;;(4)稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。;稳压管稳压电路 ;负载电阻 。;令输入电压降到下限时,流过稳压管的电流为Izmin 。;感谢您的聆听！