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数值孔径 (Numerical Aperture NA) 分辨率 R ? 1 . 22 ? D f ? 1 . 22 ? f n ( 2 f sin ? ) ? 0 . 61 ? n sin ? ? 光学系统的数值孔径描述透镜收集光的能力 n 是透镜到硅片 间介质的折射率， 对空气而言为 1 分辨率 -Resolution f ? ? ( ? l ) min ? 2 b ? 1 . 22 ? 0 . 61 d NA d NA ? 2 f 一般来说， 最小线宽 ? K 1 K 1 ＝ 0.6~0.8 ? NA K 1 是一个独立于光学成像的因子，取决于光刻 系统和光刻胶的性质等其它因素 然而采用高数值孔径的光学系统 ( 大透镜），会使景深变差 焦深（ DoF ） ? 焦深就是聚焦深度（ Depth of Focus ）， 它是指沿着光通 路，圆片可以移动而依然保持图形聚焦清晰的移动距离。 对于投影系统，焦深由下式给出： DoF ? 焦点是沿透镜中 心出现最佳图像 的点，焦深是焦 点上面和下面的 一个范围。焦点 可能不是正好在 光刻胶层的中心， 但是焦深应该穿 越光刻胶层上下 表面。 k 2 ? NA 2 透镜 - 焦平面 焦深 光刻胶 + 膜 光 源 光源 汞灯 汞灯 波长 ? (nm) 436 365 术语 g 线 i 线 技术节点 0.5 m m 0.5/0.35 m m KrF( 激光 ) ArF ( 激光 ) F 2 ( 激光 ) 激光激发 Xe 等离子体 248 193 157 13.5 DUV 193DU V VUV EUV 0.25/0.13 m m 90/65…32nm CaF 2 lenses Reflective mirrors NGL: X 射线 (5?) ， 电子束 (0.62?) ， 离子束 (0.12 ?) 第二章 光学曝光技术 ? 光学曝光的工艺过程 ? 光学曝光的方式和原理 ? 光刻胶的特性 ? 光学掩膜的设计与制造 ? 短波长曝光技术 ? 大数值孔径与浸没式曝光技术 ? 光学曝光分辨率增强技术 ? 光学曝光的计算机模拟技术 ? 其它光学曝光技术 ? 厚胶曝光技术 ? LIGA 技术 东南大学 · 南京 教育部重点实验室 MEMS 光刻胶基本成分 光学曝光过程中，为了将掩模上的图形转移到圆片上， 辐照必须作用在光敏物质上，该光敏物质必须通过光照， 改变材料性质，使在完成光刻工艺后，达到转移图形的目 的。该光敏物质称为 光刻胶 。 光刻胶基本成分组成： （ 1 ）树脂（ Resin ） （ 2 ）感光剂（ PAC ） （ 3 ）溶剂（ Solvent ） （ 4 ）添加剂（ Additive ） 东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室 ? 树脂（ Resin ） ：光刻胶中的基体材料，是一种对光敏感的 高分子化合物，当它受适当波长的光照射后，就能吸收一 定波长的光能量，发生交联、聚合或分解等光化学反应， 使光刻胶改变性质。 ? 感光剂（ PAC ， photoactive compound) ： 在曝光前作为抑 制剂（ inhibitor ），降低光刻胶在显影液中的溶解速度， 而在暴露于光线时有化学反应发生，使抑制剂变成了感光 剂，增加了胶的溶解性（正胶），或产生交联催化剂，使 树脂交联，降低胶的溶解性（负胶）。 ? 溶剂（ solvent ） ： 使光刻胶保持液体状态。绝大多数的溶 剂在曝光前挥发除去，对光刻胶的化学性质几乎没有什么 影响。 ? 添加剂（ additive ）： 用来控制和改变光刻胶材料的特定化 学性质或光刻胶材料的光响应特性，也包括控制光刻胶反 射率的染色剂。 光刻胶类型 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等） 的照射下，以交联反应为主的光刻胶称为 负性 光刻胶 ，简称 负胶 。 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等） 的照射下，以降解反应为主的光刻胶称为 正性 光刻胶 ，简称 正胶 。 光刻胶是长链聚合物 ? 正胶在感光时，曝光对聚合物起断链作用 ，使长链 变短，使聚合物更容易在显影液中溶解。 ? 负胶在曝光后，使聚合物发生交联 ，在显影液中溶 解变慢。 负胶 正胶 IC 主导 光刻胶的一些特性 1 、灵敏度 : 光刻胶通过显影完全被清除所需要的曝光剂量（正胶）；光刻 胶在显影后有 50% 以上的胶厚得以保留时所需要的曝光剂量（负胶）。是 衡量曝光速度的指标，灵敏度越高，所需曝光剂量越小，曝光时间越短。 灵敏度太低会影响生产效率，所以通常希望光刻胶有较高的灵敏度。但 灵敏度太高会影响分辨率。 通常负胶的灵敏度高于正胶。 正胶负胶的灵敏度和对比度定义 二 . 对比度（反差比）： 指的是光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡 度。对比度代表着只适于在掩膜版透光区规定范围