半导体刻蚀机行业深度研究报告.docx

? ? 半导体刻蚀机行业深度研究报告 ? ? 1 行业增长：技术周期不国产替代双驱动 全球市场规模： 155亿美元空间 2009年全球刻蚀设备市场规模为 24亿美元，2019年全球刻蚀市场规模达到 115亿美元，复合 年增长率近19%。受终端应用市场蓬勃发展 、及半导体制造技术升级驱动 ，根据SEMI预测， 预计到2025年，全球刻蚀设备市场规模将增长至 155亿美元，CAGR约为5%。 晶圆厂扩产，紧锣密鼓 全球来看，新一轮库存 周期下，头部晶圆厂 (包 括IDM)均在紧锣密鼓推 进产能扩展。 大陆地区来看，根据集微咨询数据，目前大陆 地区现有晶圆产能折合 8 吋约 162 万片/月， 而总规划产能为 462 万 片/月，潜在扩产 300 万片/月。从 21 年 预计新增产能64 万片/ 月来看，未来几年晶圆 厂扩产将持续活跃。 国际头部厂商扩产主要聚焦12英寸；制程上， 目前28纳米产能较为短缺，中芯国际扩产主要聚焦28纳米以上产能； 台积电南京厂也将进一 步扩建2万片12英寸28 纳米及以上产线。 资本支出波动性降低 半导体行业发展遵循螺旋式上升规律 ，放缓或回落后又会重新经历一次更强劲的复苏 。 随着半导体行业日趋成熟，终端应用渗透越来越广泛，特别是集成电路和微观器件品类越来越丰富，下游晶圆厂的资本性支出的波动和行业周期性有望陈低 。 技术变革驱动，10年技术周期 全球半导体行业将继续增长。预计未来五年半导体行业市场销售规模将保持增长趋势 ，扩张 至6000亿美元以上。根据Gartner预测，2025年半导体市场规模将达 6500亿美元左右 。 全球半导体行业资本开支继续维持高位。根据Gartner，未来五年半导体行业资本开支依旧保持较高水平的稳定状态，在1400亿美元上下。 2 行业版图：介质刻蚀与硅刻蚀平分江山 刻蚀是使用化学或者物理方法有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去 ，从而将图形从光刻胶转移到待刻蚀的薄膜上 ，刻蚀后留下的是晶圆所需要的材质和附着在其上的光刻胶 。 刻蚀工艺：90%以上为干法刻蚀 刻蚀工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀。目前应用主要以干法刻蚀为主，市场占比 90%以上。湿 法刻蚀在小尺寸及复杂结极应用中具有局限性，目前主要用于干法刻蚀后残留物的清洗。 湿法刻蚀可分为化学刻蚀和电解刻蚀。 根据作用原理，干法刻蚀可分为物理刻蚀(离子铣刻蚀)和化学刻蚀(等离子刻蚀)。根据被刻蚀的材料类型，干法刻蚀则可分为金属刻蚀、介质刻蚀不硅刻蚀。 干法刻蚀 VS 湿法刻蚀 湿法刻蚀：利用化学溶液腐蚀未被抗蚀剂掩蔽的薄膜表面。湿法刻蚀各向异性差，在器件特 征尺寸的不断缩小 、表面形貌越发严苛的背景下 ，其刻蚀精确度很难保证；此外，许多新材 料的应用也缺少合适的刻蚀腐蚀液。目前，湿法刻蚀主要用于清洗 。 干法刻蚀：利用等离子体激活的化学反应(化学刻蚀)或者是利用 高能离子束轰击(物理刻蚀)来 实现刻蚀，因为在刻蚀中并不使用溶液，所以称之为干法刻蚀。 刻蚀工艺对比：湿法刻蚀 VS 物理刻蚀 VS 化学刻蚀 目前应用中，湿法刻蚀和物理刻蚀主要用于清洗 。纯化学刻蚀用于光刻胶等介质材料的去除 。 器件主要部分的刻蚀主要采用物理化学混合的反应离子刻蚀，其中又以等离子体干法刻蚀为 主导。 等离子体刻蚀机 等离子体刻蚀是一种常见的干法刻蚀，其过程 是：刻蚀气体进入反应腔后，在外加电磁场作 用下通过辉光放电产生由电子和原子结合在一 起形成的等离子体；等离子体轰击晶圆表面并 被吸附；晶圆表面产生化学反应并形成反应产 物和副产物；副产物解吸附后被排出腔室。 等离子体刻蚀系统的结极包括：反应腔、产生 等离子体的射频电源、气体流量控制系统、去 除生成物的真空系统。 CCP VS ICP 电容耦合等离子体刻蚀( CCP )的原理是将施加在极板上的射频或直流电源通过电容耦合的方 式在反应腔内形成等离子体。 电感耦合等离子体刻蚀( ICP )的原理是将射频电源的能量经由电感线圀，以磁场耦合的形式 进入反应腔内部，从而产生等离子体并用于刻蚀。 3 产业变革：线宽与3D化变革重塑刻蚀壁垒 晶体管变革：材料与工艺的升级 依靠材料不工艺升级，集成电路关键尺寸从 90nm发展到 14nm及以下等先进制程。前段成熟制程变革过程中，英特尔一直走在关键尺寸变革前列。 布线工艺变革：铜布线的大马士革工艺 铜布线刻蚀中，为避克铜被刻蚀，采用双大马士革工艺 。大马士革过程中，不需要金属刻蚀 确定线宽和间隙，而是采用介质刻蚀。 单大马士革工艺：把单层金属导线制作由传统的金属蚀刻、电介质沉积改为电介质蚀刻、金 属填充。 双大马士革工艺：相比单大马士革工艺 ，两者的区别在于互连引线沟槽不互连通孔是否同时 淀积填充铜金属。按照Via和Trench的次序可分为三种，先刻