测试非易失性存储器时的块质量分类以及产品多样性的多个坏块标志的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 测试非易失性存储器时的块质量分类以及产品多样性的多个坏块标志的制作方法 背景技术：半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、非移动计算设备和数据服务器。半导体存储器可包括非易失性存储器、易失性存储器或两者。即使当非易失性存储器未衔接到电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性存储器的示例包括闪存存储器(例如，nand型和nor型闪存存储器)、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)等。存储器设备通常将具有作为创造过程的一部分而发生的缺陷。在被创造之后并且在被送出给消费者之前，存储器管芯通常经受一系列测试以确定电路的缺陷部分，存储器单元和外围元件两者的缺陷部分。假如设备具有太多缺陷，则其可被丢弃或仅用于要求较低的应用，而在其他状况下，当设备在用法中时，可标志并避开存储器管芯的缺陷部分。例如，设备的存储器单元通常将被划分成块，并且作为测试过程的一部分，可为有缺陷的存储器块设定标记值(诸如在存储器管芯上的熔丝rom中)，然后当设备处于操作中时将不用法这些块。附图解释类似编号的元件是指不同的图中的共同部件。图1是衔接到主机的存储器系统的一个实施计划的框图。图2是前端处理器电路的一个实施计划的框图。在一些实施计划中，前端处理器电路是控制器的一部分。图3是后端处理器电路的一个实施计划的框图。在一些实施计划中，后端处理器电路是控制器的一部分。图4是存储器封装件的一个实施计划的框图。图5是存储器管芯的一个实施计划的框图。图6a是单片三维存储器结构的一个实施计划的一部分的透视图。图6b是具有两个平面的存储器结构的框图。图6c描绘了存储器单元的块的一部分的顶视图。图6d描绘了存储器单元的块的一部分的剖视图。图6e描绘了挑选栅极层和字线层的视图。图6f是存储器单元的竖直列的剖视图。图6g是多个nand串的暗示图，示出了多个子块。图7示出了非易失性存储器管芯的块的管芯分类测试序列的结果的一个实施计划。图8是示出故障停止管芯分类的结果的表。图9是描述用于故障停止管芯分类过程的过程的一个实施计划的流程图。图10是示出管芯分类结果的表，其中假如块通过宽裕标准，则对于下一个管芯分类类别，块被认为通过，但假如块在关键故障类别中未通过，则该块故障停止。图11示出了通过用法坏块复原机制可在较高值等级下用法的芯片的数量的增强。图12是用于包括块质量分类的管芯分类过程的过程的一个实施计划的高级描述的流程图。图13是描述用于在更具体的详细实施中包括块质量分类的管芯分类过程的过程的一个实施计划的流程图。图14是描述用于具有管芯的存储器系统的通电序列的过程的一个实施计划的流程图，该管芯具有多位坏块标记值。图15是描述损耗均衡过程的一个实施计划的流程图，该损耗均衡过程可结合通过用法坏块标记的多位值提供的块质量或可复原性信息。详细实施方式在用法之前，非易失性存储器管芯通常经历一系列测试以确定存储器管芯上的存储器单元的块的质量。这些块通常被分组成具有较少缺陷或无缺陷的好块，以及具有较高数量的缺陷的坏块。在通常将被标志为坏的块组内，通常将存在可复原到不同程度的多个块。例如，块可能具有过多缺陷而不能用于高耐久性应用，但可被复原以用于其中块将经历较少编程/擦除循环的应用。在下面展现的实施计划中，在管芯被投入客户用法之前对存储器管芯的测试过程期间，存储器管芯经历一系列测试。当存储器管芯未通过测试时，记录结果，但继续测试以完成测试的操作的其余部分，除非未通过的测试是关键类别测试。然后可将测试的结果记录在存储器管芯上，诸如通过写入存储器管芯上的熔丝rom中，作为指示存储器管芯上的块中的每个块的可复原性类别的多位坏块标记。在一些实施计划中，当挑选存储器管芯以组装成多管芯存储器封装件时，可用法这些多位坏块标记。多位坏块标记也可在存储器系统的操作期间用法，其中存储器控制器可在通电期间存取这些多位坏块标记，并且在存储器系统操作期间用法块的可复原性类别，诸如用于挑选将向其写入数据的块作为损耗均衡操作的一部分。图1是衔接到主机120的存储器系统100的一个实施计划的框图。许多不同类型的存储器系统可与本文提出的技术一起用法。示例性存储器系统包括固态驱动器(“ssd”)、存储卡和嵌入式存储器设备；然而，也可以用法其他类型的存储器系统。图1的存储器系统100包括控制器102、用于存储数据的非易失性存储器104、以及本地存储器(例如，dram/reram)106。控制器102包括前端处理器(fep)电路110和一个或多个后端处理器(bep)电路112。在一个实施计划中，fep电路110在专用集成电路(“asic”)上实