北京大学《集成电路原理与设计》课件-第6章 CMOS IO设计.pptVIP

* 输入端ESD保护电路 对深亚微米CMOS集成电路，栅氧化层的击穿电压很小，常规二极管的击穿电压较大，不能起到很好的保护作用。因此可以增加离子注入提高二极管衬底浓度，来降低二极管的击穿电压 输入保护电路和电平转换电路结合起来就构成实际的CMOS集成电路中常采用的输入缓冲器结构 * 输入端ESD保护电路 用场区MOS管作输入保护 输入端有较大的正脉冲电压时场区MOS管导通，使ESD电流旁路 用栅接地的NMOS管和栅接VDD的PMOS管共同构成输入保护电路 源漏区pn结起到二 极管的保护作用 * 输入端ESD保护电路 特征尺寸的缩小对ESD保护电路的挑战 I/O管脚数目增加，需减小保护电路的面积 需降低保护电路的钳位电压，加快电荷泄放速度 采用垂直双极晶体管（Vertical Bipolar, V-BIP）做保护电路 输入电压过高时，D被击穿，电阻R使V-BIP发射结正偏，双极晶体管导通，为ESD提供很大的放电电流 * 输入端ESD保护电路 采用V-BIP做保护电路的优点 采用n阱CMOS工艺，在n阱中制作垂直结构的双极晶体管，并形成触发二极管D V-BIP器件收集区通过常规CMOS器件的n阱和ESD器件的n阱相连 高驱动电流 低钳位电压 低成本 小面积 * ESD保护电路-输出端保护 输出端为MOS的漏端，与衬底形成pn结 特别是脱片输出级反相器，一般尺寸较大，pn结相当于一个大面积的二极管 对可靠性要求很高的情况，需要增加保护二极管 * 第六章 CMOS I/O设计 输入缓冲器和输出缓冲器 北京大学《集成电路原理与设计》 输入输出缓冲器 联系芯片内部电路和封装管脚/PCB的功能电路 输入缓冲器：将来自PCB板的外部信号，通过封装管脚---钝化层开孔（压焊点）/金属，缓冲器，输入给芯片内部电路（反相器输入端） 输出缓冲器：将芯片内部的输出信号（反相器的输出端），经过钝化层开孔/金属---封装管脚，输出到PCB板上的其他电路 输入/输出缓冲器：二者功能的结合 * * CMOS集成电路的I/O设计 输入缓冲器 输出缓冲器 ESD保护电路 三态输出的双向I/O缓冲器 * 输入缓冲器 两方面作用 电平转换接口 过滤外部信号噪声 * 输入缓冲器:电平转换 将来自其它芯片的TTL电平，正确识别并输入CMOS芯片 电平兼容 TTL电路逻辑摆幅小 CMOS电路摆幅（VDD=5V） 输入缓冲器:电平转换 逻辑阈值设计 求算导电因子比例 NMOS管占用大量芯片面积； 输入为VIHmin时有静态功耗 * 输入缓冲器：电平转换 改进电路 增加二极管，使 反相器上的有效电源电压降低 PMOS加衬底偏压，增大其阈值电压的绝对值 增加反馈管MP2 ，改善输出高电平 NMOS管占用大量芯片面积 输入为VIHmin时有静态功耗 * 输入缓冲器：抑制输入噪声 用CMOS史密特触发器做输入缓冲器 * 输入缓冲器 Vin=0，Mn1,Mn2截止，Mp1,Mp2导通；Vx为（Vdd-Vtn）；Vout输出高电平 当Vin=Vtn，Mn1导通，Mn2截止；Vx为Mn3和Mn1分压值；Vout输出高电平 Vin=Vtn+Vx=V+，Mn2才导通，Vout下降；Mn3逐渐截止 这样电路走完靠右的一条VTC * 输入缓冲器 Vin=Vtn，Mn1导通，Mn2截止；Vx为Mn3和Mn1分压值；Vout输出高电平 Vin=Vtn+Vx=V+ 计算Vx：Mn1和Mn3都处于饱和区，列出直流电流相等公式，利用上式，求出V+ * 史密特触发器：输入缓冲器 转换电平 噪声容限 回滞电压 * 史密特触发器做输入缓冲器 利用回滞电压特性抑制输入噪声干扰 * Noise Suppression using Schmitt Trigger * CMOS集成电路的I/O设计 6.1 输入缓冲器 6.2 输出缓冲器 6.3 ESD保护电路 6.4 三态输出的双向I/O缓冲器 * 输出缓冲器 在驱动很大的负载电容时，需要设计合理的输出缓冲器 提供所驱动负载需要的电流 使缓冲器的总延迟时间最小 一般用多级反相器构成的 反相器链做输出缓冲器 * 输出缓冲器 驱动不同负载电容时，输入/输出电压波形及充放电电流 使反相器链逐级增大相同的比例 ，则每级反相器有近似相同的延迟 ，有利于提高速度 * 输出缓冲器 逐级增大S倍的反相器链 为反相器驱动一个相同反相器负载的延迟时间 * 输出缓冲器：反相器链 使tp最小的N与S的最优值 得到驱动大电容优化结果：根据CL和Cin，求出最优反相器链级数N，每级尺寸增大S倍 一般情况下，每级尺寸增大2.72倍速度相对优化 如果满足速度要求，可以减