中间带太阳能电池理论综述.pptVIP

短期超晶格 SLs 西南大学物理科学与技术学院 2004级物理学3班 hzx 超晶格：两种晶格匹配很好的材料交替地生长周期性结构。超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜，事实上就是特定形式的层状精细复合材料。 短期超晶格能带结构如图，可以明显看出这种材料拥有两个能带宽度，复合中间带的要求。 Kandaswamy et al. J. Appl. Phys. 104, 093501 （2008） * . 量子点 Quantum Dots 西南大学物理科学与技术学院 2004级物理学3班 hzx 量子点(quantum dot)是准零维（quasi-zero-dimensional）的纳米材料，由少量的原子所构成。粗略地说，量子点三个维度的尺寸都在100纳米(nm)以下，外观恰似一极小的点状物，其内部电子在各方向上的运动都受到局限，所以量子限域效应(quantum confinement effect)特别显著。 量子势阱 （quantum wells）和短期超晶格的区别：量子阱的势垒宽度更大，电子不能隧穿势垒到达相邻的阱中，即波函数没有交叠；超晶格则不同，势垒宽度小，电子能隧穿 。 * . 量子点（实验） Quantum Dots 西南大学物理科学与技术学院 2004级物理学3班 hzx 基于三族氮化物半导体 In x Ga 1?x N的中间带太阳能电池。 优势：相较其他半导体（Si, GaAs, CuInGaSe, Ge等），三族氮化物半导体 In x Ga 1?x N能够调节禁带宽度。其可调范围从红外区域（0.65eV/InN），至紫外区域（3.42eV/GaN），很好的契合了不同中间带数目的太阳能电池所需禁带宽度的范围。 Liwen Sang ,Meiyong Liao , A Multilevel Intermediate-Band Solar Cell by InGaN/GaN Quantum Dots with a Strain-Modulated Structure * . 量子点（实验） Quantum Dots 西南大学物理科学与技术学院 2004级物理学3班 hzx 结构： 1.减压层：减小层与层之间的分子力，最大限度保留半导体晶格的完整程度。晶格的完整程度，将极大地影响吸光区域的工作效率。 2.吸光层：三层In含量不同的GaN超晶格InGaN量子点，构建了多个中间带，并可由控制In的含量，控制中间带的位置。 3.基底：AlN/蓝宝石基底能制成结晶性最好的InGaN薄膜。 * . 量子点（实验） Quantum Dots 西南大学物理科学与技术学院 2004级物理学3班 hzx 试验方法： 1.用金属有机化合物化学气相沉淀法(MOCVD)制备高质量的 I nGaN薄膜。 2. 用Stranski-Krastanov (SK)方法来在在三层InGaN/GaN短期超晶格中形成In量子点 * . 量子点（实验） Quantum Dots 西南大学物理科学与技术学院 2004级物理学3班 hzx 短期超晶格部分低倍率下的STEM图像，量子点处于叠层中。 各个部分的HAADF-STEM （衬度与Z有关） * . 量子点（实验） Quantum Dots 西南大学物理科学与技术学院 2004级物理学3班 hzx 中间带太阳能电池对红光与蓝光波段的响应 中间带太阳能电池与对比电池比较 * . * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 中间带太阳能电池 * . 简 介 Synopsis 西南大学物理科学与技术学院 2004级物理学3班 hzx 中间带电池（intermediate-band solar cells)，是一个引人注目的提高太阳能电池全局效率的新概念。这种电池通过在半导体的禁带中引入一个能态密度小的窄能带，使得在保持开路电压不变的情况下，增加亚带隙吸收，从而达到增加电流，提高效率的目的。 * . 1.普通半导体电池吸收过程：VB（价带）→CB（导带） 2.中间带太阳能电池吸收过程： VB（价带）→CB（导带） 以及 VB（价带）→IB（中间带） IB（中间带）→CB（导带） A. S. Brown and M. A. Green J. Appl. Phys., Vol. 94, No. 9, 1 November 2003 结 构 structure 西南大学物理科学与技术学院