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2022年半导体行业专题研究 化合物半导体产业由国外厂商主导_国内加速布局 一、化合物半导体产业由国外厂商主导，国内加速布局 第二代半导体：Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 III-V族半导体材料：III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊 和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为：砷化镓 GaAs、磷化铟 InP。 磷化铟衬底：Indium Phosphide，磷和铟的化合物，其具有 饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转 换效率高、禁带宽度高等诸多优点，被广泛应用于光通 信、光电器件、高频毫米波器件、光电集成电路集成激光 器、光探测器等领域。 砷化镓衬底：Gallium Arsenide，砷和镓的化合物。。砷化 镓的禁带宽度大于硅，可以耐受更高电压；砷化镓的电子 迁移率更是硅的6-7倍，因此高频性能十分优异。故在制作 射频微波器件方面得到重要应用。 化合物半导体合成方法 VGF法是目前制备化合物半导体的主流且最为高效的方法之一。合成衬底质量好， 且满足主流应用尺寸：2-6英寸需求。 二、磷化铟：5G、可穿戴、车载三驾马车驱动市场增长 竞争格局：多寡头竞争，市场逐步扩大 2020 年 磷 化 铟 衬 底 市 场 呈 现 出 多 寡 头 垄 断 ， 主要集中在 Sumnitomo、北京美通及日本JX公司，其他公司市场占比只有 9%。 根据USGS数据，2020-2021年中国全年铟产量分别为540 吨和530 吨，占全球总产量的56.3%和57.6%。从原材料供应端为中国磷化 铟市场的扩张提供保障。 受益于下游市场需求的增加，磷化铟衬底材料市场规模将持续扩 大。根据 Yole 预测，2026 年全球磷化铟衬底（折合二英寸）预计 销量为128.19 万片，2019-2026年复合增长率为 14.40%；2026年 全球磷化铟衬底市场规模为2.02亿美元，2019-2026年复合增长率 为 12.42%。 磷化铟：各应用领域市场预测 作为高速和远程光收发器不可或缺的基石，InP激光二极管是电信和数据通信公司光子应用的最佳选择。 应用下游器件包括光模块器件、传感器件、射频器件，对应下游终端领域包括5G通信、数据中心、人工 智能、无人驾驶、可穿戴设备等领域。 5G推动InP光学模块市场 2019 年我国已经建成超过 13 万个 5G 基站，未来三年迎来建站高峰。根据工信部数据，截至 2019 年 6 月国内 4G基站 445 万 个；综合 5G 频谱及相应覆盖增强方案，中信证券测算未来十年国内 5G 宏基站约 4G的 1-1.2 倍，合计约 500-600 万。 预测InP光模块市场到2026年将有两倍提升。在市场需求的带动及中国政府新基建等政策的影响下，全球光模块市场将保持 快速增长态势。根据Yole统计显示，到2026年全球光模块器件磷化铟衬底（折合两英寸）预计销量将超过100万片，2019年2026年复合增长率达13.94%，2026年全球光模块器件磷化铟衬底预计市场规模将达到1.57亿美元，2019-2026 年复合增长率 达13.94%。 InP传感器市场发展迅速 InP在传感器领域中更为安全。在传感器领域中，器件放出的光波可见光或波长小于1400nm的光会聚焦在视网膜上，并可能对 视网膜造成永久性损伤。 相比于其他基底InP具有更长的波长能够更好保护眼部安全。在一些主要的应用中具有关键的优势， 比如激光雷达和可穿戴设备中。 InP广泛应用在传感器设备中：1、磷化铟衬底制造的可穿戴设备具备脉冲响应好、信噪比好等特性，可用于监测心率、血氧浓度、血压甚至血糖水平等生命 体征。 2、磷化铟衬底制造的激光传感器可以发出不损害视力的不可见光，可应用于虚拟现实（VR）眼镜、汽车雷达等产品中。 InP传感器市场发展迅速 全球可穿戴市场加速扩张。随着移动通信、图像技术、人工智能等技术的不断发展及创新融合，可穿戴设备已成为全球增长最 快的高科技市场之一。据华经产业研究院报道，全球可穿戴设备出货量从2014年的0.29亿部增长至2021年的5.34亿部，预计到 2024年将达到6.37亿部。 InP在可穿戴市场渗透率快速增加。对于智能手机来说，OLED显示器在13xx到15xxnm的波长范围内是透明的。有意去除手机屏 幕上的摄像头凹槽并将3D传感模块集成到OLED显示屏下的OEM厂商正在考虑转向InP EEL，以取代当前的GaAs VCSEL。Yole 预计 2022 年 InP 在可穿戴设备中的最初市场渗透率将略有下降，随后将以 112% 的复合年增长率显着增长，到 2026 年达到 2.55 亿 美元。 InP未来有望替代GaAs在激光雷达的市场。InP更长的波长特性可以在汽车市场上提供