半导体制造技术导论（第二版）萧宏 复习.pptx

2023/4/211半导体制造技术导论（第二版）萧宏 复习 2023/4/212各章主要讲什么？第3章 半导体基础：基本元件第2章 集成电路工艺介绍：工艺间，流程第1章 导论：半导体产业第4章 晶圆制造：衬底，外延层第5章 加热工艺：氧化, 扩散, LPCVD, 退火第6章 光刻工艺：图形化（为了刻蚀、掺杂） 2023/4/213各章主要讲什么？第9章刻蚀工艺：湿法和干法（等离子体）第8章离子注入工艺：掺杂第7章等离子体工艺：等离子体的概念第10章化学气相淀积与电介质薄膜：ILD, PD第11章 金属化工艺：连接或互连第12章化学机械研磨工艺：平坦化 2023/4/214练习1—看视频, 找对应的工艺晶圆 → 干氧SiO2生长→ LPCVD多晶硅 → 光刻 → 刻蚀 → 离子注入→ 金属PVD → CMP → 光刻 → 刻蚀 → 介质CVD → CMP总结一下制造MOSFET的工艺流程书上还有哪些章节的内容没涉及？ 5练习2—CMOS所用到的工艺？ 6练习3—观看动画, 给出/总结流程 7练习3—观看动画, 给出/总结流程晶圆外延隔离阱区MOS互连提纯、CZ法拉单晶、切片、研磨LPCVD、SiH4+B2H6, 1000℃光刻、RIE、USG填充、CMP光刻、离子注入、退火/扩散栅氧、多晶硅栅、LDD、源/漏电极、PMD、接触孔、Al?Cu、…钝化SiO2、Si3N4、Pad 8第4章 晶圆制造+第5章LPCVD 新型衬底或外延层 —外延层仍有限制(迁移率、速度、可靠性) 晶圆如何制造？ — 缺陷→提纯→拉单晶→切片, 研磨 外延层如何生长？ — 衬底缺陷→外延 多晶硅淀积(栅) 9第6章 光刻工艺 光刻技术的发展？(分辨率与景深) — I线→DUV →分辨率增强、浸入式、多重 图形化→ EUV、X光、电子束、离子束 光刻的材料？ — 负胶→正胶→化学增强式光刻胶(分辨率) 光刻工艺的流程？ — 每一步都有其意义，曝光(关键) 10第8章 离子注入+第5章扩散,退火 如何实现离子注入？退火？ — 机制→问题(通道效应, 损伤)→解决办法 掺杂技术？ — 扩散掺杂→离子注入(横扩或热预算) 如何实现扩散掺杂？ — 预淀积→推进 11第9章 刻蚀工艺 干法刻蚀如何实现？有何用？(选择性, 速率 ) — RIE？图形化？全局？ 图形化刻蚀工艺？ — 湿法刻蚀→干法刻蚀(最小刻蚀长度) 湿法刻蚀有何用？ — 图形化？全局？ 12第10章 CVD与介质薄膜+第5章氧化 介质薄膜工艺的发展？ — 硅烷→ TEOS → PECVD → O3-TEOS → HDCVD 介质薄膜？有何用？ — 二氧化硅、氮化硅 氧化层生长(干氧和湿氧)？氧化层淀积？ — Si衬底与O反应， 外来Si与O反应 13第11章 金属化工艺 如何实现互连线？ — Al?Cu, Cu 哪些金属薄膜？各有何特点？ — Poly Si, 硅化物, W, Al, Ti/TiN, Cu, Ta 如何制作金属薄膜？(质量、填空隙能力) — CVD，PVD 14第12章 化学机械研磨 CMP仍有的问题？ — 均匀性、选择性、缺陷 为何要平坦化？ — 光刻、刻蚀、淀积、可靠性或良率 平坦化技术的发展？ — 回流→溅射回刻, SOG或PR回刻→ CMP 15第13章 半导体工艺整合 栅工艺？LDD？VT调整？抗穿通？ CMOS主要工艺步骤？ — 晶圆→隔离→阱区→ 晶体管→互连→钝化 为何隔离？隔离技术的发展？ 单阱？双阱？ 局部互连？全局互连的发展？ 16第14章 IC工艺技术及发展趋势 CMOS工艺的发展？ — 1980s → 1990s → 2000s → 2010s CMOS工艺的发展趋势？ — 低K，互连线，栅电极，高K，新的 半导体材料，光刻技术，3D集成等