一种低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于北京
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一种低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体及其制备方法.pdf

本申请涉及稀土永磁体的技术领域,更具体地说,它涉及一种低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体及其制备方法。低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体,由包括以下重量百分比的原料制成:28‑33%Nd、1.1‑1.2%B、62‑67%Fe、0.6‑0.8%Gd、0.6‑0.8%Dy、0.1‑0.15%Co、0.05‑0.1%Cu、0.03‑0.06%Ga,余量为不可去除的杂质。低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体的制备方法,包括以步骤:(1)原料准备及预处理、(2)熔炼、(3)氢爆制粉、(4)成型取向、(5)烧结、(6)镀

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068121 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111608861.4 (22)申请日 2021.12.24 (71)申请人 余姚市宏伟磁材科技有限公司

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