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带隙基准电路的特性分析 1 电源电压变异于有效机械系统的特性 图1显示了hironoribaban等人于1999年在jsec上发表的，以下简称baban结构。图2显示了kanangleung等人在2002年出版的jsec，以下简称leung结构。 从图1和图2中看到, Banba结构和Leung结构的区别:Leung结构的电阻串R2B1、R2B2与R2A1、R2A2分压接放大器的输入端, Banba结构没有采用电阻串的分压。 Leung结构的缺点:抽头太低的话, 反馈系数误差越大, 稳定性、PSRR和增益都不高。优点可以进一步降低电源电压的最低工作电压要求。 Banba结构的优点:低压电源设计, 宽的电源电压范围, 能够驱动电阻和电容负载 (具有一定的驱动能力) , 负载挂电容不会影响稳定性, 能够提供多种VREF, 高的电源抑制比, 低的功耗, 同时能够提供IREF。VREF的大小可以通过电阻R4灵活调整, 不影响温度系数。由IREF=VREF/R4可知, 产生基准电流的温漂较小, 只取决于电阻的温度系数。 Banba结构电源电压不能降到1V以下的原因:在bandgap中运算放大器通常都是PMOS输入, 而为了保证Q1和Q2能够工作在指数区, VBE应该大于0.6V。当电源电压降到1V左右时, 输入对管就有可能脱离饱和区, 造成增益和抑制比性能变差。 Banba结构的电路设计过程: 公式 (1) 中I 公式 (2) 中, V 对公式 (3) 进行温度求导, 可得公式 (4) : 所以, 由上式可得: 可以知道: 通过计算可以得到R2和R3的电阻比例, 下面继续确定电阻的阻值。 可以知道I 下面通过加压测流的方式确定Q1的电流, 通过给PNP管子VCE的电压进行扫描, 看Ie=Iq的发射级电流, 原理是通过 (7) 进行对温度求导, 可得: 通过公式 (8) 对这个发射级电流Ie=Iq进行求In, 以及再对这个进行求导, 取最接近常数的那段为发射极电流Ie的范围, 因为V 图3中上图是发射级电流Ie曲线, 下图是选取Ie电流求In, 然后再求导, 选取求导之后最平的那段的电流为正常工作设计电流, 这时的这个工作电流要在各个转角corner下都满足, 不同温度下和不同转角corner下。转角corner是对晶体管NMOS和PMOS的速度波动给一定的范围, 通常所说的转角ss, tt, ff。ss是指慢NFET和慢PFET, ff是指快NFET和快PFET, tt是指典型NFET和典型PFET。 综合上述corner的转角, Ie的工作范围1u-1.55uA。 所以把Ie的电流定在1.5uA, 所以可以得到:I 通过上面得到: 再根据公式 所以 但是需要注意, 一般三极管上的电流和I 而通常设定 所以要想得到0.6V的VREF, 可得到 PMOS管的尺寸: 在设计bandgap时, VREF的精度需要达到2%的精度标准。上述Banba和leung结构能提供零温度系数基准电压, 也能提供近似零温度系数的电流, 但是如果提供多样化的基准电压时, 后面的负载会对环路稳定性有影响, 所以基于多路输出和产生零温度系数电压及零温度系数电流的要求, 提出以下的设计方案。 2 带中断波输出的结构介绍 2.1 基准电压的实现 本文设计了一种应用于带斩波的多路输出带隙基准电路。 带隙基准电路见图4, 采用零温度系数结构, 产生参考电压vbg。利用V-I (电压转电流) 来产生偏置电流ibias1和ibias2, 用来给后面需要基准电流的电路, 同时V-I还可以给不同的模块提供多路个性化的输出基准电压, 为了降低失调和噪声, 采用斩波技术。 带隙基准电路的基本原理是利用BJT管pn结电压的负温度系数和不同电流密度下两个BJT的pn结电压差的正温度系数相互抵消, 从而得到零温度系数的基准电压。放大器OA1以正负输入端驱动电阻R1和电阻R3的上端, 使得放大器的正负输入端稳定在近似相等的电压。基准电压在放大器的输出端得到。因此基准电压的表达式如下: 在本设计中只产生一种参考电压vbg, vbg是1.2V。 许多电路中需要零温度系数的基准电流, 实现的方式是通过零温度系数的基准电压与零温度系数的电阻, 可以近似得到零温度系数的基准电流, 即 在数模混合领域, 除了需要1.2V的带隙基准电压外, 还需要低于1.2V的低压带隙基准, 因此高精度、多路输出的带隙基准电压是系统的核心与关键电路之一, 被广泛应用。本文设计的多路输出低压带隙基准电压在V-I电路中一并实现, 在第二级的V-I电路中输出的串联电阻中的抽头实现多路输出, 这种多路输出基准电压结构的电路复杂度较低, 容易实现。另外基准电压给后面的模块提供电压时, 会有一定的容性负载, 多路输出结构会减小负