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基于ansys的开关电源联合仿真方法 变压器的模拟系统的验证 开关结构简单，压力面宽，输出隔离，易于实现多输出，在控制器领域得到广泛应用。 本文提出的一种以多路输出的开关电源为建模仿真的模型, 利用Ansys软件的Simplorer和Pemag两个软件模块, 对开关电源进行模块间联合建模仿真方法, 充分考虑元器件的动态参数和分布参数。为了验证本文使用的建模方法的准确性, 将开关电源的关键元器件和整个开关电源系统分别进行仿真结果和实际测试结果的对比。得到了仿真结果与实测结果吻合的结论, 证明本文提出的方法准确可行。 1 高频变压器的特性 图1为一种多路输出的开关电源电路。由于MOS-FET, 二极管等半导体器件和高频变压器具有的寄生参数, 导致的电路运行时在电路的开关管两端生dv/dt和di/dt 1.1 功率器件模型建模 MOSFET的各极之间存在寄生电容, 会在开关电源电路中产生dv/d和di/dt。为了准确的模拟MOSFET在开关电源电路中的作用, 需要考虑MOSFET的寄生电容等参数, MOSFET的寄生电容包括漏源极之间的电容Cds, 栅源极之间的电容Cgs以及栅漏及之间的电容Cgd。根据这三个电容确定MOS的输入电容Ciss和输出电容Coss和反馈电容Crss, 分别由以下公式表示: 由于这些寄生电容的存在, 当MOSFET开通和关断瞬间产生较大的dv/dt和di/dt, 使得MOSFET在开关电路中不只是起到开关作用, 对输出电压的稳定运行和电磁干扰都有很大影响。因此需要精确建立MOSFET模型且能够模拟MOSFET的开通关断过程, 以确保仿真的准确性。 在Simplorer环境下, 将器件的输入输出曲线、阻抗转移特性曲线以及一些器件的关键参数导入到模型中, 进行功率器件的特征化建模。 如图2所示, 将MOS的转移特性曲线数据导入到Simplorer中, 并设置相应边界条件, 对器件的转移特性进行拟合, 得到转移特性曲线的拟合结果, 图3为同样方法得到的输出特性曲线数据及拟合结果。对于功率较大的开关器件还需要拟合其热特性, 以得到更为准确的功率器件的动态模型, 从而能够准确的模拟器件的导通、关断特性。 同MOSFET一样, 开关电源的输出二极管两端也存在着寄生电容, 当开关频率达到几十k Hz时, 在二极管两端也会产生较大的dv/dt, 因此也需要准确建立输出二极管的动态模型。二极管的建模除了静态特性的通态电压、电流、通态电阻还需要考虑结电容、扩散电容、放电效应等参数。 1.2 高频变压器建模 高频变压器是在开关电源电路中, 起到变压, 能量存储与传输, 隔离等作用, 属于开关电源的核心元器件。但是由于变压器磁芯气隙的存在, 变压器内存在漏感, 且由于同侧绕组之间以及原副边绕组之间都存在着寄生电容, 因此实际工作中的高频变压器与理想变压器模型有很大差距。精确地建立高频变压器模型在整个开关电源电路的建模中是非常重要的环节。 对于一个相对复杂的多路输出高频变压器, 最直接有效的建模方法是通过产品规格书获取其磁芯、绕线、骨架等材质和规格, 使用Pemag可以根据元件规格书来建立磁性元件模型, 用Pemag建高频变压器模型。 本文使用EE20-8PA高频变压器。其产品规格书中的规格参数如表1。 根据规格书中各部分元件的要求, 选择相应或者近似的规格尺寸的元件以及对应的材料。完成骨架、磁芯元件的建模。绕组层数根据规格书绕组绕法, 按照规格书连接绕组与引脚;抽头在Pemag中无法设置, 将各个抽头绕组分别连接在不同引脚上, 后续在联合仿真时可以将抽头的引脚连接起来。图4为变压器绕组连接图。 根据规格书中提供的绕线线材和绝缘材料, 在Pemag中选择相对应的绕线线材和绝缘材料, 并根据绕组绕法设置线间距。并设置相应的挡墙材料尺寸。 2 模拟和验证 2.1 实验结果与分析 为了验证仿真的准确性, 分别对部分绕组电感, 寄生电容, 初级绕组漏感进行实际测量值和仿真结果进行对比。 使用LCR测试仪器, 对绕组电感进行测试, 同时将测试结果与仿真结果对比, 对比结果如表2, 可以看到仿真得到的绕组电感之和实际测试得到的绕组电感值非常接近。 频率为100 k Hz时, 仿真得到的漏感为19.3 u H。采用短路法测量漏感的方法, LCR测试得到的漏感值为19.63 u H, 测试结果比仿真结果高0.33 u H, 证明仿真结果比较相近实测值。 通过使用Pemag建模, 得到本文选用的高频变压器原副边之间的寄生电容仿真结果, 以AD两绕组间的寄生电容为例, 容值为4.81 p F。为了验证仿真得到的寄生电容是否准确, 采用测试原副边插入损耗的方法来验证。 实际测试绕组间寄生电容方法为:测量原副边插入损耗, 根据一下公式计算绕组之间的寄生电