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第三代半导体材料的发展与应用 过去，“中流砥柱”的硅能器越来越大，材料开发的限制也越来越大。很难满足当今社会发展的新需求，例如高频、高温、高功率、高效率、环境和小规模金门。以Si C为代表的第三代半导体材料凭借其优异属性,已成为突破口,正在迅速崛起。第三代半导体材料作为新兴半导体材料,如Ga N和Si C,与Si相比,均具备击穿电压高、宽禁带、导热率高、电子饱和速率高、载流子迁移率高等特点,因而被期待在光电子器件、电力电子器件等领域广泛应用。 1 gan与sic作为材料元件的应用市场 第三代半导体材料的规模应用,首先是在LED半导体照明上的应用,这是以Si C为代表的第三代半导体技术所实现的第一个突破口。Si C有效地解决了衬底材料与Ga N的晶格匹配度问题,减少了缺陷和位错,以更高的电光转换效率从根本上带来更多的出光和更少的散热。 第三代半导体材料的重要应用,是在各类半导体器件上的应用,主要以功率器件、微波器件为应用和发展方向。目前,很多领域都将硅二极管和MOSFET及IGBT(绝缘栅双极晶体管)等晶体管用作功率元件,比如供电系统、电力机车、混合动力汽车、工厂内的生产设备、光伏发电系统的功率调节器、空调等白色家电、服务器及个人电脑等。由于Ga N和Si C所具有的基本特性,使得这些领域所用的功率元件的材料逐步被Ga N和Si C替代。 (1)可在高频段工作。第三代半导体材料器件最大特性是器件工作频率很高,Si C微波及高频和短波长器件是人们最早应用的第三代半导体器件,是目前已经成熟的应用市场。同时用Si C制作的器件可以用于极端的环境条件,所以Si C器件在军用雷达和通信的应用成为各国角逐的领域。 (2)可在较高温度下工作。耐热性方面,硅功率元件在200 ℃就达到了极限,而Ga N和Si C功率元件均能在温度更高的环境下工作,这样就可以缩小或者省去电力转换器的冷却机构。 (3)实现高效率的能源传输与利用。传统硅基(Si-based)材料由于无法提供较低导通电阻,因而在电力传输或转换时导致大量能量损耗。Si C元件则由于具备高导热特性,加上材料具有宽能隙特性而能耐高压和承受大电流,可以降低导通时的损失和开关损失,更符合高温作业环境与高能效利用的要求。 (4)有助于产品实现小型化。电能损失降低,发热量就会相应减少,因此可实现电力转换器的小型化。利用Ga N和Si C制作的功率元件具备两个能使电力转换器实现小型化的特性,一个是可进行高速开关动作,另一个是耐热性较高。 开关频率越高,电感器等构成电力转换器的部件就越容易实现小型化。 1.1 sic器件简介 Si C在1842 年被发现,直到1955 年,才出现生长高品质碳化硅的方法。1987 年,商业化生产的Si C进入市场,进入21 世纪,Si C的商业应用才全面铺开。 Si C材料制作电子器件,最初以Si C制功率元件为主。Si C制肖特基二极管(SBD)于2001 年投产,Si C MOSFET于2010 年投产,其中Si C SBD已被配备于空调及铁路车辆用逆变器等。与传统Si功率器件相比,Si C功率元件的应用正在逐步扩大,见图1 所示。 Si C器件随着成本不断降低,已经进入普及阶段。但是,目前即使化合物半导体器件在飞速发展,企业也并不打算替换掉电源电路使用的所有的硅器件。因为在使用中,低电压部分依然存在,在这些地方,硅器件应该还会继续保持主流地位。 1.2 sic/gan功率元件的竞争 20 世纪90 年代以前,因为缺乏合适的单晶衬底材料,且薄膜位错密度比较大,Ga N发展缓慢。90 年代以后,Ga N发展迅速,年均增长率达30%,已经成为大功率LED的关键性材料。 相较于Si C十多年时间的发展,Ga N功率元件才刚进入市场,它是一种拥有类似于Si C性能优势的宽能隙材料,拥有更大的成本控制潜力,尤其是高功率的硅基Ga N,由于具有更大输出功率与更快作业频率,已被看好可取代硅元件成为下一代的功率元件。近年来全球对于都市基础建设、新能源、节能环保等方面的政策支持,扩大了对于Si C/Ga N等高性能功率元件的需求,将进一步促进Si C/Ga N功率元件的发展。 2012 年的Ga N市场上, 虽然仅有IR和EPC两家器件供应商,但是随后几年已有多家公司推出自己的产品。从2014 年开始,一些厂商积极扩充产能,在2015 年相继推出600 V耐压的Ga N功率器件,整个市场的发展空间将得到极大地扩充。 Ga N的起步较Si C早,但是Si C的发展势头更快。在早期,两者因应用领域不同,直接竞争的机会并不大。但随着功率半导体市场向两者打开,面对面的竞争就不可避免。工业、新能源领域已经成为两者的战场,而在汽车领域,因为价格原因,厂商虽仍然采用传统的Si器件,不过,随着Ga