晶圆级传输线lp测试技术的发展.docxVIP

晶圆级传输线lp测试技术的发展 1 晶圆级tlp测试方法的提出 1985年，malloytj等人提出了传输线脉冲（tlp：transports）的测量方法，并在随后几年中取得了可持续的发展。由于TLP测试方法可以准确地测量失效发生时的脉冲电压、脉冲电流 ,目前其作为ESD测试法的替代方法,已经成为电路设计工程师研究ESD保护结构的特性、进行ESD设计的重要依据。随着集成电路晶圆级测试技术的发展,早些年基于封装级的测试也逐渐向晶圆级转移。而对于ESD设计的工程师来说,如果能从晶圆级获得ESD保护结构的TLP测试结果,不仅降低了设计成本,同时也缩短了设计周期。 本文从测试原理以及测试流程出发,针对测试线路的搭建、设备的校核、被测结构的处置等方面探究晶圆级TLP的测试方法。作者结合实际案例,介绍晶圆级TLP测试过程中应力条件设置的主要环节。 2 简化测试方法 TLP测试是把方波测试脉冲加到待测ESD保护结构两端,通过示波器电压探棒、电流探棒采集传输线上反射回来的电压和电流,经过电路结构的节点分析法以及回路分析法推算得到每个方波脉冲应力下被测结构两端的电压以及流过其中的电流。 经简化的测试线路图如图1所示,图中A点为分析节点。设施加的输入脉冲电压、脉冲电流分别为V 当某个方波脉冲电压通过传输线施加到被测结构两端时,入射网络阻抗 由于入射网络与反射网络的结构不变仅信号传输方向发生变化,可得: 再从分析点A处电压,由基尔霍夫电压定律、基尔霍夫电流定律[1]分别可得: 经公式代入后得 示波器采集到的反射电压值 由式(3)代入式(2)可得: 同理由式(4)代入式(1)可得: 由于方波脉冲电压幅度V 3 设备要求 3.1 p测试系统的特点 由于晶圆级测试的被测结构存在不可随意移动、测试接触点相对固定的特点,因此晶圆级TLP测试系统除了具备封装级测试系统所涵盖的脉冲信号产生与控制系统、反射波测量示波器、TLP控制盒、传输线等仪器外,还需具备晶圆固定探针台、三坐标可调节探针座、信号接触针、地针等必备设施。 从本文第二部分的推导过程得知,当TLP测试系统的等效输入阻抗(Z 3.2 dut与dut端的连接 晶圆级TLP测试线路搭建的关键点是同轴传输线与信号接触针、地针的连接工作。图2是标准的时域延时反射交叠测试模式(TDRO)的连接示意图,从图中可以发现通过信号针将方波脉冲信号施加到晶圆上的某一个被测结构(DUT)的测试端,而DUT的另一端则是由地针经过同轴传输线的外层金属连接至地。 信号针、地针仅从外观上不易区分,实际测试工作中应注意观察两者的内在结构。地针为实心金属针,直接与同轴传输线端口处的金属相连至地;而信号针的结构相对复杂(如图3所示),其通过屏蔽层与传输线外层金属即地隔离,确保方波脉冲信号有效地施加至DUT端。 由于晶圆级TLP测试过程中,信号针、地针需要根据DUT在晶圆上的分布情况作精微调整,因此在开始测试前,两针的位置需要移动,所以连接两针的金属传输线是具有一定柔韧度的固定长度的软线。当然,长度固定的前提下,在连接软金属传输线时还应考虑探针调节方向不具备任意性,此操作关键点需在实际测试工作中积累经验。 4 测试流程 4.1 i-v特性曲线 结合本文第二部分的推导过程以及本文3.1节的阐述,我们清楚地知道TLP测试系统的状态决定了最终获得的被测结构的I-V特性曲线准确与否。当完成测试线路的连接工作后,是否已经具备测试状态,需要通过7个校准步骤进行验证:晶圆级后端线路不连接情况下开路校准(Z 如果示波器、电压探棒、电流探棒、衰减器与TLP脉冲发生控制系统、TLP控制盒的连接并没有发生改变,并且测试系统长期处于工作状态,周围温湿度坏境也未发生变化时,第1~5步的校准步骤无需每次进行。 4.2 表面检查 进行测试前,首先需确保晶圆被无损伤地固定在一个水平面上,根据信号针、地针所在位置对晶圆的水平位置进行适当调整。其次在放大20~50倍的条件下,对晶圆表面进行检查,防止碎屑、尘埃、颗粒物等沾污以及表面划伤、金属裸露等情况对TLP测试结果造成影响。根据晶圆上被测结构(DUT)的位置分布,调整晶圆的水平位置或者信号、地两针的三轴位置,使得两针准确接触到DUT两端。为了防止误扎针、扎深针给测试结果带来影响,扎针时应尽可能在5倍以上显微镜下进行。测试结束后,应分别抬起两针或者降低晶圆的高度,防止切换下一个DUT时造成晶圆划伤。 4.3 测试条件设置 描绘被测结构的特性曲线通常是一个探索的过程,即设计师在不清楚其开启电压、二次击穿电压的情况下需要通过TLP测试手段获得这些关键参数甚至是全动态的I-V特性曲线。这种情况下,如果方波脉冲之间的步距过疏会造成关键参数遗漏或者不精确;而步距过密则带来TLP测试时间无限制延长、增加测试成本。在实际测试工作中,合理地