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铁电材料的应用与发展 1 抗菌体结构的表征 由于独特的铁电压电性，铁电材料具有广阔的应用前景，受到人们的广泛关注。在实际应用中，材料的低介电耗、高铁电压电性和抗疲劳性能、低泄漏率和其他特征通常是不符合上述要求的铁电材料。然而，到目前为止，人们对pzt材料的广泛研究还不够。因为它的抗疲劳性能和铅的毒性。另一种srb2nb2o9（bsn）和srb2ta2o9（sdt）材料具有良好的抗疲劳性能，但处理温度和剩余极化低。因此，新技术的铁电材料的研究和应用具有重要的战略意义。 铋层状共生铁电体(Intergrowth Ferroelectrics ),是由两种钙钛矿层数不 同的铋层状铁电材料组成,其中两种不同单元沿c轴方向交替排列.其化学通式可写为[(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-]×[(Bi2O2)2+(A′m-1B′mO3m+1)2-],其中A和A′为Na+,K+,Pb2+,Ba2+,Sr2+,Ca2+,Bi3+等适合于十二配位的+1、+2、+3价离子或其复合, B为Ti4+,Nb5+,Ta5+,W6+,Mo6+等适合于八面体配位的离子或其复合,m,n为整数(m-n=1),为相邻(Bi2O2)2+之间类钙钛矿层的层数,其值可为1~5.图1所示为共生铁电体Bi2WO6-Bi3TiNbO9的结构示意图.这种天然的超晶格结构决定了其具有更为复杂的微观结构和更加丰富的物理性能. 本文拟对铋层状共生铁电体的结构及电学特性进行简要介绍,并展望其今后的研究发展. 2 3层共体铁磁体研究 2.1 晶体结构及电化学特性 Bi5TiNbWO15共生铁电体是由Bi2WO6和Bi3TiNbO9沿C轴方向交替排列生长而成.在相当长的时间里,由于该材料损耗较大一直没有其晶体结构和电学特性的报道.最近,Snedden等采用粉末X射线衍射和中子衍射解析了其晶体结构,发现其晶体结构可用I2cm空间群,晶胞参数a=0.54231nm,b=0.54027nm,c=4.1744nm进行精修.Yi等采用介电谱技术测出其相变温度位于823℃左右(图2),并且发现该材料具有高的离子导电性,800℃时电导率可达0.02 s/cm,是一种新的Aurivillius相氧离子导体.关于该材料的铁电压电性尚无报道. 2.2 bi7ti4nbo21铁电陶瓷的制备 Bi7Ti4NbO21共生铁电体是由Bi3TiNbO9和Bi4Ti3O12沿C轴方向交替排列生长而成.该材料的突出特点是低损耗、高居里点.它有两个相变温度位于677℃和856℃左右(图3),分别对应于组成单元Bi4Ti3O12和Bi3TiNbO9的铁电-顺电相变.最近,Mercurio等采用助熔剂法生长了Bi7Ti4NbO21单晶并用X射线衍射和中子衍射解出其结构.发现它为正交晶系,I2cm空间群,晶胞参数为a=0.5442nm,b=0.5404nm,c=5.799nm.然而早在上世纪七十年代就有人发现该材料是一种宏观上均匀、微观上存在有Bi3TiNbO9和Bi4Ti3O12沿c轴错排的微区.正是由于难以制备出完全纯相的Bi7Ti4NbO21铁电陶瓷,虽然结构解析表明(Bi2O2)2+层将对剩余极化产生贡献,仍然在很长时间里没有发现其在铁电压电性方面的优势.不过最近,Zhang等发现采用固相反应法制备的Bi7Ti4NbO21铁电陶瓷剩余极化(2Pr)可达28uC/cm2.Durán等报道采用金属有机前驱物合成方法制备的Bi7Ti4NbO21陶瓷的压电常数d33可达20pC/N.而且在较高温区仍可保持一定的压电常数值.这些结果表明Bi7Ti4NbO21是一类有潜在优势的铁电压电材料. 2.3 u3000在中国铁电材料中的应用 ABi8Ti7O27共生铁电体是由Bi4Ti3O12和ABi4Ti4O15(A=Ca, Sr, Ba, Pb, etc)沿C轴方向交替排列生长而成.其中SrBi8Ti7O27陶瓷是目前研究最多的共生铁电体.其居里点位于610℃左右(图4),介于Bi4Ti3O12(Tc=675℃)和SrBi4Ti4O15(Tc=520℃)的居里温度之间,也远大于SrBi2Ta2O9(Tc=300℃)的居里点.虽然SrBi8Ti7O27的居里温度没有Bi7Ti4NbO21的高,然而有人认为该材料只有一个相变温度的事实表明其晶体结构中类钙钛矿层与(Bi2O2)2+层之间存在着更强的相互作用,因而更容易得到较高的剩余极化.Noguchi等首先报道采用固相反应法制备的SrBi8Ti7O27铁电陶瓷剩余极化(2Pr)可达30uC/cm2.这一结果几乎是SrBi2Ta2O9的两倍,也大于采用同样方法制备的铁电陶瓷Bi4Ti3O12和SrBi4Ti4O15.Goshima等首先从实验上证实该类材料沿C方向亦存在自发极化.随后