星敏感器DC-DC浪涌抑制电路的EMC分析设计.docx

? ? 星敏感器DC-DC浪涌抑制电路的EMC分析设计 ? ? 何泽志 ，钟建勇 ，吴 威 (1.中国科学院空间光电精密测量技术重点实验室，四川 成都 610209；2.中国科学院光电技术研究所，四川 成都 610209；3.中国科学院大学，北京 100049) 0 引言 星敏感器是一种具有极高测量精度的姿态测量仪器，因其较强的抗干扰能力和易实现自主导航的特点，是目前卫星等航天器上最主要的姿态测量仪[1]。由于卫星等航天器一般由太阳能电池等蓄电池供电，是一种直流电源，以卫星为例，其为星载设备提供的电源一般为28 V[2]或42 V 的直流电源，即一次电源，故星上设备需采用DC-DC 电路来将其转换为自身所需的电源。 而由于DC-DC 电源的使用，在星敏感器接通一次电源的瞬间，会在其供电线路中产生一个冲击电流，被称为浪涌电流。浪涌电流因其瞬时性和尖峰性，极易导致二次电源输入端电压下降继而影响电源模块的正常启动，造成系统崩溃，同时也对整星载荷的电源分配产生不利影响[3]，因此，浪涌电流的抑制已经成为星敏感器电源设计中必不可少的一环。 1 浪涌电流的产生 在整星和有效载荷的设计过程中，为了使设备满足电磁兼容性要求，需要在设备的输入端口设计RLC 滤波电路和EMI 滤波电路等，同时还会在电源输入端并联大电容以满足阻抗匹配的要求，因此对于星载一次电源来说，星上负载不是纯电阻，而是容性或感性阻抗。图1为星载设备供电原理的简易示意图，其中UL为星载设备DC-DC 的输入电压，C 为DC-DC 模块折算过来的等效电容与EMI 模块的杂散电容之和，当二次电源输入电压小于DC-DC 模块最小工作电压时，杂散电容可忽略不计，主要考虑等效电容；当大于最小工作电压时，DC-DC模块等效电容为零，此时主要考虑杂散电容的充电。由图1 可知，由于电容的阻抗特性，在设备上电瞬间，电容近似短路，电容上的电压变化量极大，由可知，此时将产生很大的瞬时电流，这种瞬时电流被称为“输人浪涌电流”。过大的浪涌电流容易使熔断器误熔断甚至使继电器触点发生粘连事件[4-5]，在有效载荷中多个模块同时启动工作，容易造成到输人端口电压降低，从而造成系统崩溃，同时电路中的瞬态大电流会引起有效载荷的电磁兼容性能变差。 图1 简易星载设备供电示意图 2 典型的浪涌抑制措施及其原理 目前，浪涌电流抑制措施主要有在供电母线串联浪涌保护器件、功率电阻并联继电器法和在输入端使用浪涌电流抑制电路三种。 常用浪涌保护器件有负温度系数热敏电阻、压敏电阻、TVS(瞬态电压抑制二极管)。通过在供电母线串联浪涌保护器件，利用浪涌保护器件在不同环境下的阻值不同来达到限制浪涌电流的目的，此种方法成本低，实现简单，但适用性较低。 采用功率电阻配合继电器或者SCR(可控硅整流器)的方法又称为电阻值预充法，该方法利用功率电阻限制浪涌电流，而当负载后端电容充电到特定值时，使SCR器件导通便可短路限流电阻，规避了电路正常工作时电阻上的功率损耗。此方法的核心在于限流电阻的阻值要随负载后端的滤波电容的充电值变化，而滤波电容的值是由后端负载的情况而决定的，因此该方法使用繁杂，不具有普适性和工程应用价值[4，6]。 第三种方法是使用最多、应用也最为广泛的浪涌抑制方法，该浪涌抑制电路在某些场合也被称为软启动电路。如图2 所示为软起动电路的经典电路结构示意图，此方法通过在供电线母线上串联MOSFET 开关器件构成一个受控网络，通过开关器件的受控网络来控制MOSFET 的导通过程，从而达到抑制后端浪涌电流的目的。工程上，常用集成了体二极管的MOSFET 代替图2中的Q1和D1。 图2 常用的星载设备软起动浪涌抑制电路示意图 3 星敏感器浪涌电流抑制电路的电磁兼容性分析 目前星敏感器常用基于母线串联MOSFET 的方法(如图2 所示)来抑制浪涌电流，此外在实际使用时通常会设置两个相同的抑制电路结构，通过冗余备份的方式来提高浪涌抑制电路的可靠性。 3.1 浪涌抑制电路的工作原理 在图2 中，开关器件MOSFET 管Q1的导通电压Ugs受漏极电阻R3和极间电容C1组成的RC 回路控制。当一次电源接通瞬间，一次电源开始给负载等效电容C2以及控制电路电容C1充电，随着对控制网络的不断充电，MOS 管G、S 两端的电压由0 开始缓慢减少，直至小于G、S 两端的导通电压阈值Ugsth，则MOSFET 管子导通。此外，当管子导通后母线上的电阻R4被近似短路，则一次电源电流就主要通过受控开关器件MOSFET 向星敏感器供电，并且随着充电的进行，C2两端的电压值会逐渐预充到一个恒定值。 当MOSFET 导通后，处于可变电阻工作区，其导通电阻由电压控制，如图3 所示为某型号MOSFET 的转移特性曲线测试接线图，由图4 可知管子导通时流过的电流受G