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ssrf光束线高次谐波抑制镜箱的研制 光谱纯度对x射线试验的要求非常高。抑制晶体单色器的高次谐波含量,是得到高纯度光谱的有效方法。单色器采用Si(111)或Si(311)晶体可消除2次谐波,但是奇数次谐波并未得到抑制。事实上,更高次的谐波的含量很少,只要能抑制3次谐波即可满足实验要求。对于聚焦模式,聚焦镜和反射镜起到低通滤波器的作用,当光子能量大于12 keV时,可保证高次谐波含量小于10–4。对于非聚焦模式,可用双晶失谐来抑制高次谐波,当光子能量为10 keV时,失谐角达到0.005°时,3次谐波含量小于2×10–4,光通量损失不到20%。但光子能量更低时,现有准直镜和聚焦镜不足以抑制高次谐波,采用双晶失谐法对高次谐波抑制有一定作用,但由于Darwin宽度变大,要求失谐角大,运行不便。为使光子能量低至3.5 keV时仍有很高的光谱纯度,须有专门用于低能区高次谐波抑制镜。考虑到反射镜的造价成本,我们把谐波抑制镜置于光束线末端距光源41 m处,采用两个小平面反射镜抑制高次谐波,两块平面镜相互平行,长宽高尺寸分别为260、70、30 mm和260、83、30 mm。 1 机构的组成及设计 XAFS光束线是上海光源首批建设的七条光束线之一,主要用于XAFS实验。我们用一套抑制镜系统抑制高次谐波以满足XAFS实验要求。表1为该高次谐波抑制镜的设计参数。 表2给出了高次谐波抑制镜两块镜子的调整要求,包括镜子投角、滚角以及在水平面内垂直光束线方向(X方向)、竖直方向(Z方向)的调节范围等。所有驱动调整方式均为电动。 高次谐波抑制镜机构需满足以下功能及要求:(1)反射镜保持平行;(2)反射镜面间距调整;(3)反射镜的夹持;(4)高次谐波抑制镜的入射角调整;(5)高次谐波抑制镜投角监测;(6)光束位置监测;(7)反射层切换(X方向)及位置指示;(8)非工作状态时采用X方向平移将高次谐波抑制镜移出光路;(9)Z方向运动。根据以上要求,整个机构主要可以分为三部分:晶体夹持机构、平移切换机构、三点调整机构。整体设计图如图1所示。 晶体夹持机构由多块铝板装配成二个矩形槽,在其中装入0.2 mm厚垫片。装入镜子后,在不同方向采用螺栓固定。装配完成后保持两块镜子平行,间距0.6 mm。通过三座标仪可检测两块镜子之间的关系,由此调节装配螺栓,实现设计要求。 平移切换机构可实现镜子的横向移动。电机驱动滚珠丝杠,通过联动机构,带动整个晶体夹持机构在直线导轨上进行X方向运动。采用的直线导轨的导柱和直线轴承间的最大间隙为0.008 mm。滚珠丝杠有效行程为300 mm,偏差为0.023 mm。整个机构处于波纹管密封之中,和镜箱内的高真空状态隔离。此机构左右两端固定,在电机带动下,丝杠带动机构中间的丝母部前后移动,根据丝母外接的连接机构,推动整个平台进行横向移动。 镜子表面镀层为Rh、Si、Ni三层。每切换到一个镀层中心,由光电开关给出相应指示。 通过三点调整机构,可实现机构的升降以及投角、滚角调整。投角上下运动有3个导向副约束,均为直线轴承和导杆配合完成。横向和纵向移动通过电机带动丝杆进行移动,底面和侧面有直线轴承起导向作用,可同时移动并保证移动精度。整个三点调整机构共采用三个光栅尺,便于对三个垂直运动机构进行调整及监控。 2 横向反射层切换测试结果分析 高次谐波抑制镜箱加工完成运抵上海光源后,进行了性能测试。在第二反射镜的下表面测量三点,构造一个平面A;在第一反射镜上表面测量四个点,计算每点到平面A的距离,如图2所示。所测得点1、2、3、4到面A的距离分别为0.610、0.613、0.591和0.590 mm。所得其他结果见表3。 根据以上测试结果可得:测量结果显示两块反射镜的面间距和平行度满足要求。 横向反射层切换测试中选用标定的负限位作为参考点,横向四个工作位置的切换由一个五相步进电机的运动步距完成,横向运动能够满足要求。 投角、滚角、Z方向高度调整测试中,反射镜组建的姿态及高度调整由三点支撑的三个步进电机完成滚角、投角、高度的运动范围、分辨率及重复精度均能够满足要求。 3 次波与高次谐波的叠加 高次谐波抑制镜箱安装于XAFS光束线实验站棚屋内,如图3所示。 未使用谐波抑制镜时,双晶单色器在5 keV下的摇摆曲线,如图4(a)所示,谱图是一次波(5 keV)和高次谐波的叠加。使用谐波抑制镜时双晶单色器在5 keV下的摇摆曲线,如图4(b)所示,谱中高次谐波已去除,只剩下一次波(5 keV)。 通过图4分析,可以清楚表明,在使用高次谐波抑制镜后,高次谐波已经得到了很好的抑制,为XAFS实验得到高纯度光谱提供了可靠的保障。