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mems在光刻光刻中的应用 微电机械系统（sss）由微传感器、微型计算机和微执行器组成。它的特点是它可以像微型技术那样大量生产，并具有降低成本的特点。在过去的二十几年里,MEMS技术得到了很大的发展并且部分产品已成功地得到了商业化,如气体传感器、喷墨打印机头、汽车安全气囊等。当前,纳米技术还主要存在于研发实验室里,但MEMS研发和产品技术的转变可加速和激励纳米加工方法的发展。 从微电子的历史可以看出,光学曝光工具的成本呈指数增长。在光学光刻中,通过减少特征尺寸得到高的产量。其最小特征尺寸F=(k1)(λ)/NA,这里λ是曝光波长,NA是光学光刻工具中透镜系统的数值孔径,k1是与工艺有关的项。通过不断减少曝光波长,F值被减小。光学光刻现在采用深紫外光,然而随着波长的减小,出现了许多新的和重要的技术难题,如分辨率及材料的选择。在下一代光刻技术中,电子束光刻已被证明有非常高的分辨率,但其生产效率太低;X线光刻虽然可以具备高产率,但X线光刻的工具相当昂贵。光学光刻成本和复杂的趋势及下一代光刻技术难以在短期内实现产业化激发人们去研发一种非光学的、廉价的且工艺简便的纳米技术,即纳米压印技术(NIL)。 纳米压印技术是华裔科学家美国普林斯顿大学周郁在20世纪1995年首先提出的。目前,这项技术最先进的程度已达到5 nm以下的水平。纳米压印技术主要包括热压印(HEL)、紫外压印(UV-NIL)(包括步进-闪光压印(S-FIL))、微接触印刷(μCP)。纳米压印是加工聚合物结构的最常用方法,它采用高分辨率电子束等方法将结构复杂的纳米结构图案制在印章上,然后用预先图案化的印章使聚合物材料变形而在聚合物上形成结构图案。在热压工艺中,结构图案转移到被加热软化的聚合物后,通过冷却到聚合物玻璃化温度以下固化,而在紫外压印工艺中是通过紫外光聚合来固化的。微接触印刷通常指将墨材料转移到图案化的金属基表面上,再进行刻蚀的工艺。 在纳米压印中,相当昂贵的光刻只需被用一次以制造可靠的印章,印章就可以用于大量生产成百上千的复制品。该法的显著优点是速度快、环节少、成本低。因此尽管大多数纳米技术的应用还在研发阶段,它有望在如下领域中获得应用:药物供给系统、生物MEMS、染色体组、光子学、磁学、化学、生物传感器、射频元件和电子学等。 1 纳米压力缓冲材料的制备 1.1 印刷技术及印表材料 在纳米压印中,印章有时也称为模具。印章的制备非常重要,因为印章上的图形质量决定了纳米压印能够达到的转移到聚合物上的图形质量,印章上的分辨率决定了聚合物上图案的分辨率。印章的制备可以采用多种方式实现,常用的有电子束、极紫外光、聚焦离子束或反应离子刻蚀等,也可采用传统的机械刻划形成。常用的印章材料有硅/二氧化硅、镍、石英玻璃印章(硬模)和聚二甲基硅氧烷PDMS印章(软模)。 在压印过程中,一个非常重要的问题是避免印章和下面的聚合物粘连在一起使脱模困难,为此常采用在表面形成自组装分子层SAM的方法来克服这个问题。这种方法的原理是在印章表面形成一层表面自由能较低的分子层,从而使脱模容易。一般常采用烷基硅烷,如(1,1,2,2 H过氟辛基)—三氯硅烷,(1,1,2,2 H过氟癸基)—三氯硅烷等。 1.2 光刻胶和印刷剂的用量 纳米压印中所使用的光刻胶不同于常规的光学光刻所用的光刻胶,它有特定的要求。除要求易处理性和与衬底结合良好外,还要求有好的热稳定性、黏度低、易于流动和优良的抗干法刻蚀性能。常用的光刻胶有MicroResist Technology提供的mr-I 8000、 mr-I 9000和mr-L 6000系列,Nanonex提供的 NXR-1000系列,DSM提供的Hybrane系列,及MicroChem提供的PMMA和SU8系列。 同样,为了防止光刻胶和印章粘连,光刻胶的改性是必须的。要求光刻胶与衬底粘接较好,而与模具粘接较差,可用氟基添加剂:(1,1,2,2 H过氟辛基)—三乙氧基硅烷改性。其原理是氟-碳键形成低表面自由能而使其稳定。 除了旋涂单层光刻胶在衬底外,还可以使用多层工艺,即在衬底预先旋涂其他聚合物如PMGI,它有与衬底的结合性能良好的优点且有平整化衬底的作用,适合于剥离工艺。 2 纳米压力打印技术 2.1 热压印工艺方法 热压工艺是在微纳米尺度获得并行复制结构的一种成本低而速度快的方法。仅需一个模具,完全相同的结构可以按需复制到大的表面上。这项技术被广泛用于微纳结构加工。 热压工艺由模具制备,热压过程及后续图案转移等步骤构成,它的主要工艺过程如图1所示。 模具制备可以采用激光束、电子束等刻蚀形成。热压过程是关键,它的主要步骤如下。 (1)聚合物被加热到它的玻璃化温度以上。这样可减少在模压过程中聚合物粘性,增加流动性。只有当温度到达其玻璃化温度以上,聚合物中大分子链段运动