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白光led共掺杂白ce,yag单晶的制备及发光特性 由于体积小、发热量低、能耗低、寿命长、环境保护等优点，光光裕矩形多功能开口的优点已广泛应用于背光源和通明设备的应用。为了推动白光LED的快速发展, 欧、美及日本等国家成立了专门的机构和推广计划, 我国科技部“863”和“973”计划项目也均对蓝光、白光LED进行开展研究立项, 以期开发出面向通用照明应用的高光效、高显色指数、低色温的白光LED。 实现白光LED的主流方式是通过蓝光LED芯片和能够被蓝光有效激发的黄色荧光材料来实现, 其中荧光材料是关键, 直接决定着白光LED的发光效率、转换效率、色坐标、色温及显色指数等性能。目前, 商品化的白光LED用黄色荧光材料主要以Ce:Y3Al5O12(Ce:YAG) 荧光粉为主, 但其发射波长中的红光成分偏弱, 导致白光LED发射的白光色温偏高, 显色指数较低。为了解决这一问题, 研究者做了大量的研究, 如范供齐等和林海凤等都通过在YAG黄色荧光粉中掺杂红色荧光粉制备了低色温、高显色指数的白光LED用荧光粉。但是荧光粉本身存在激发效率和光转换效率低, 颗粒及分散的均匀性差, 散热不均等缺点, 从而导致了白光LED光衰大等问题。因此, 寻找一种可以替代用于白光LED的黄色荧光材料势在必行。 YAG单晶是优良的激光基质材料以及光学衬底材料, 其中, Nd:YAG和Yb:YAG激光晶体已经得到了广泛应用。而Ce:YAG晶体最初引起人们关注的是作为闪烁材料。Ce:YAG晶体属立方晶系、石榴石型结构、Ce3+在YAG中取代十二面体位置的Y3+。Ce:YAG单晶作为闪烁材料具有较高的光输出 (2×104photons/Me V) , 较快的衰减速率 (约80 ns) 以及能够发生与硅光二极管有效耦合的540 nm荧光等特点。与Ce:YAG荧光粉相比, Ce:YAG单晶材料具有以下优点:1) 激发发射效率高;2) 稀土发光离子分布均匀一致;3) 物化性能稳定、寿命长、热导率高, 可应用于高功率白光LED;4) 可实现增加红色发光成分和调谐发光波段;5) 优化白光LED封装结构。由于Ce:YAG单晶材料存在以上优点, 因此, 本课题组对用于白光LED的Ce:YAG单晶荧光材料进行了研究, 发现其与蓝光芯片制备的白光LED的红光发光成分仍然不足。针对这一问题, 课题组通过在生长Ce:YAG单晶时掺杂了具有丰富红光的Pr3+、Sm3+离子, 生长了Ce3+、Pr3+及Ce3+、Sm3+共掺的YAG单晶并对其光谱性能进行了研究。研究表明, 在Ce3+、Pr3+和Ce3+、Sm3+共掺杂的YAG单晶中, 存在Ce3+、Pr3+及Ce3+、Sm3+间的能量传递, 使其能够发射出中心波长分别为609和615 nm的红光。王鑫等对用于白光LED的Ce3+、Cr3+共掺的YAG单晶进行了研究, 指出Cr3+的发射光谱在红光区, 且比Ce3+单掺的YAG单晶发射强度更强。由于Tb3+的特征发光带峰值分别位于492、545、585和625 nm处, 分别归属于Tb3+的5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4和5D4→7F3跃迁, 可能对Ce:YAG发光中心中缺少红光有一定的改善。为此, 本工作采用提拉法生长了Ce, Tb:YAG单晶材料, 并对其光谱和光电性能进行了研究。 1 实验 1.1 抗静电剂为复合晶圆饼、于低推动提取液 将纯度为99.99%的氧化钇、氧化铝、氧化铈和氧化铽粉末, 按Y3–x–yAl5O12:CexTby(其中x=0.06, y=0.06) 化学计量比准确称量, 将原料充分混合均匀后压成直径小于铱金坩埚内径的圆饼, 1 000℃下预烧10 h, 除去原料中的水分等杂质。然后将预烧好的原料装入坩锅, 采用提拉法生长程序进行生长, 所使用的YAG籽晶为方向。生长参数为:晶体转速为10~20 r/min, 提拉速率为1~2 mm/h, 生长时间为30~40 h。降温后, 得到的Ce, Tb:YAG晶体直径约为29 mm, 等径长度约为65 mm, 晶体照片如图1所示。由于提拉法生长的YAG单晶随生长长度的增加, 单晶中的稀土离子掺杂浓度呈增加趋势, 为了缩小由此带来的浓度误差, 选取图1中直尺17~18 cm位置内同一横截面的晶体, 切割成厚度分别为0.2、0.3、0.4和0.5 mm的切片, 用于光电参数的测试。 1.2 lampda950分光光谱 用德国BRUKER公司生产的D8 X射线衍射仪分析晶体样品的晶相, Cu靶, λ=0.154 06 nm, 加速电压为40 k V, 扫描范围为10°~90°, 扫描步长为0.02 (°) /s。采用Perkin Elmer型lambda950分光光谱仪测试样品的吸收光谱, 测量波长范围为200~