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sioc泡沫陶瓷的制备及性能研究 作为一种新型陶瓷材料，泡沫陶瓷具有比面积大、密度低、渗透性好、热导率低、耐高低温、耐腐蚀性好等优点，广泛用于航空航天、能源、化工、电子、生物和医学等科学领域。 近年来, 泡沫陶瓷的制备技术主要有:有机泡沫浸渍工艺、添加造孔剂工艺、溶胶-凝胶工艺、挤出成型工艺等, 但以上工艺都存在一些不足之处, 如工艺复杂, 制备温度较高, 生产效率低, 产品的力学性能差等, 因此探索新的制备工艺, 不断提高泡沫陶瓷性能是目前一个非常重要的课题。 本研究选用硅树脂为原料, 利用先驱体转化法与添加造孔剂法相结合, 通过硅树脂高温裂解反应制备具有高强度、低密度、高透过性的Si OC泡沫陶瓷。由于作为先驱体的硅树脂具有成型方便, 组分可设计, 产物成分均匀等特点, 因而采用硅树脂制备泡沫陶瓷, 具有工艺简单、制备温度较低、产品性能优良等特点, 是泡沫陶瓷材料具有前途的制备方法之一。 1 实验方法 1.1 颗粒质量 实验采用的原料为GE公司生产的SR355硅树脂, 性状为白色颗粒, 摩尔质量约为5~7 kg/mol。实验采用的造孔剂为聚乙烯醇缩丁醛 (PVB) , 呈白色粉末, 粘度为4 Pa·s, 购于青岛昊成实业有限公司。 1.2 混粉的制备 首先将硅树脂与PVB分别在QM-BP型行星球磨机上球磨3 h, 然后将过筛后的硅树脂粉与PVB粉按一定比例用球磨法混合5 h, 得到均匀的混粉;将混粉放入模具中, 采用80 MPa的压力压制成形;将所得坯体放入真空炉中, 按制定的温度曲线进行加热处理。 1.3 测试方法 采用ZSCH STA409PC/PG型热分析仪对PVB及硅树脂进行TG-DSC测试。用阿基米德法测定试样的孔隙率。在CMT5504试验机上测定试样的抗压强度。利用X射线衍射仪 (XRD) 分析硅树脂裂解产物的物相。通过扫描电镜 (SEM) 和能谱 (EDS) 对试样进行显微结构及成分分析。 2 结果与讨论 2.1 温度曲线的制定 2.1.1 热失重事件 图1为PVB的TG-DSC曲线。可以看出, PVB在250~450℃之间热失重严重;当温度为500℃时, PVB已基本被排除。因而制定温度曲线时, 可在500℃保温60 min, 将PVB彻底排除。 2.1.2 基层硅树脂低热反应现象 图2为硅树脂的TG-DSC曲线。从图中可以看出, 在250~600℃之间, 硅树脂的TG曲线出现失重平台, 且在500℃附近有明显的放热现象, 该段主要是硅树脂发生交联反应的过程, 硅树脂的交联固化程度直接影硅树脂很好地完成交联反应。当温度达到800℃时体系失重很小, 1000℃以上时体系失重基本消失, 无机化反应基本完成。所以应在1000~1400℃的温度范围内选择保温点, 以确定硅树脂转化为高性能陶瓷的最佳温度。 根据上述PVB及硅树脂的热分析, 制定温度曲线如图3所示。 2.2 技术参数对泡沫陶瓷性能的影响 2.2.1 不同温度对泡沫陶瓷的影响 图4为Si OC泡沫陶瓷抗压强度和孔隙率与裂解温度的关系曲线 (造孔剂含量为50%) 。可见, 当裂解温度为1000℃时, 试样抗压强度较低;随着温度逐渐升高, 抗压强度不断增大;当温度达到1250℃时, 抗压强度达最大值52.3 MPa;而后随着温度的继续升高, 抗压强度逐渐下降。同时, 从图4中还可以看出, 随着裂解温度的升高, 试样的孔隙率不断降低。当裂解温度为1250℃, 泡沫陶瓷的孔隙率为72%。 采用陶瓷先驱体聚合物制备泡沫陶瓷时, 裂解温度对试样的强度有重要影响, 这与不同温度下先驱体裂解产物不同有密切关系。图5为硅树脂分别经1100, 1250, 1400℃裂解后生成产物的XRD图谱。从图中可以看出, 在1100~1400℃的范围内, 随着温度的不断升高, 裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。当温度为1100℃时, 裂解产物呈非晶态, 此时产物中含有大量游离C, 裂解产物自身强度较低;当温度达到1250℃时, 裂解产物中游离C含量减少, 产物中出现Si C微晶, 此时O元素以Si OC非晶陶瓷形式存在, Si C微晶弥散分布在Si OC非晶陶瓷层内部, 使裂解产物自身强度得到提高, 因而裂解温度为1250℃时制得的泡沫陶瓷强度最高;当温度达到1400℃时, 产物已晶化, 出现Si O2晶粒, 同时Si C颗粒长大, 泡沫陶瓷强度有所下降。 另外, 随着裂解温度的升高, 试样的孔隙率不断降低, 这主要是由于在1100~1400℃的温度范围内, 硅树脂随着温度的升高裂解残留物发生增强稠化, 导致泡沫陶瓷整体收缩率增加, 孔隙率下降。 2.2.2 造孔剂含量对泡沫陶瓷性能的影响 图6为Si OC泡沫陶瓷的抗压强度、孔隙率与造孔剂含量的关系曲线 (裂解温度为1250℃)