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掺铝氧化锌薄膜的制备与性能

透明导电氧化物（tco）对光透率和耐荫性具有很高的光渗透性，并且具有良好的导电性。广泛应用于平面光学仪表、太阳能电池、节能窗等光源设备领域。掺锡氧化铟(ITO)薄膜是第一代透明导电氧化物薄膜(TCO)材料,其因良好的光电特性而被广泛应用于各种光电器件,但原材料价格昂贵、铟资源短缺且有毒等限制了其研究和应用,所以新一代透明导电氧化物薄膜材料的研究如火如荼。其中掺铝氧化锌(AZO)薄膜具有光电特性好(光学透射率达到90%、电阻率达到10-4Ω·cm量级)、Zn和Al资源丰富、材料无毒、在氢等离子体中化学稳定性好、成本低廉等优良性能而被广泛应用于太阳能电池器件、液晶显示器、发光二极管等领域。

目前,AZO薄膜的研究发展迅速,其光电特性能与ITO薄膜相比拟,被认为是21世纪最具潜力的功能薄膜之一。很多学者对AZO薄膜的结构及光电特性做了大量的实验研究(如掺杂及磁控溅射工艺等)工作,但很缺乏系统的归纳总结。本文综述了AZO薄膜制备方法与光电特性以及磁控溅射制备工艺参数对AZO薄膜结构、光电性能的影响,有望指导制备出性能更好的AZO薄膜。

1azo薄膜的制备和性能

1.1制备薄膜时长丝在膜浓缩和蒸发过程中的应用

AZO薄膜的制备方法很多,如磁控溅射法、溶胶-凝胶法(Sol-gel)、电子束蒸发法、金属有机化学气相沉积法(MOCVD)、脉冲激光沉积法(PLD)等。

磁控溅射法是利用一定能量的正离子轰击靶材上的原子的原理来沉积薄膜的。LiXueyong等利用该方法制备出可见光透射率达到86%的AZO薄膜。JiangMinhong等利用该方法在一定的工艺条件下制备出电阻率达到10-4Ω·cm量级的AZO薄膜。磁控溅射法具有沉膜质量好、沉积温度低、沉积速率快、衬底与薄膜的黏附性好、适合工业化生产等优点,但设备昂贵。寻找降低成本的方法需要进一步研究。

溶胶-凝胶法(Sol-gel)利用原料在液相中混合形成溶胶并陈化聚合形成呈网络结构的凝胶进而制备薄膜。有多个研究组利用此法制备了AZO薄膜。溶胶-凝胶法成膜均匀、设备简单、适于大规模生产,制备出的薄膜可见光透射率能达到90%,但制备过程不可避免地造成液相污染,使得杂质含量较高,且制备出的薄膜不够致密,致使电阻率仅为10-2Ω·cm量级,需要摸索出更优的工艺条件。

电子束蒸发法利用被阳极加速获得动能的热电子轰击处于阳极的蒸发材料,使材料汽化从而沉积镀膜。郭爱云等用电子束蒸发法制备AZO薄膜用以研究沉积的薄膜厚度、沉积速率等参数对AZO薄膜性能的影响。电子束蒸发法蒸发沉积速率较快,但电子枪发出的一次电子和蒸发材料表面发出的二次电子会使蒸发原子和残余气体分子电离,有可能影响膜层质量。

金属有机化学气相沉积法(MOCVD)利用金属有机物为反应源,通过气相化学反应制备AZO薄膜。金属有机化学气相沉积法制备温度低,沉积速度快,成膜质量好;制备的AZO薄膜性能优异,可见光透射率在91%以上,电阻率达到6.22×10-4Ω·cm;但金属有机物价格昂贵,且大多有毒,需要很好的防护措施。

脉冲激光沉积法(PLD)利用高能量的激光照射在靶材表面,使靶材原子汽化,并沉积到衬底上,从而形成薄膜。LingShen等用PLD法制备了AZO薄膜,研究了氧分压对薄膜形貌、厚度的影响。脉冲激光沉积法具有沉积温度要求低、沉积薄膜的化学计量比可精确控制、沉积速率快等优点,但不利于制备大面积薄膜。

1.2薄膜的光学性质

氧化锌薄膜呈六角铅锌矿结构,晶格常数a=0.325nm,c=0.521nm,室温下禁带宽度为3.37eV。纯氧化锌(ZnO)自身并不导电,虽然本征氧空位激发出少量电子,但其电阻率(ρ)高于106Ω·cm。ZnO掺Al让Al替位Zn后,Al多出的一个价电子形成自由电子,使AZO薄膜具有很好的导电性能,其电阻率能达到10-4Ω·cm量级。AZO薄膜因其禁带宽度较宽,吸收短波限小于可见光,使得AZO具有很好的可见光透射性,其可见光平均透射率在90%左右。同时因AZO具有很高的自由电子浓度,使其红外反射率很高,在近红外附近其薄膜红外反射率能达到60%左右。AZO还是很好的发光材料,调节材料结构可发出不同波长的光,以满足不同领域光电器件的需求。

为了获得光电性能更好的AZO薄膜,掺杂是一个重要的研究方向。掺杂可改变薄膜的结晶状况、表面形貌、载流子数目、禁带宽度等,进而影响AZO薄膜的光电性能。掺杂元素需适量,掺杂浓度过大会增强薄膜对电子和光的散射能力,降低薄膜的光电性能。射频磁控溅射法制备的Ti掺杂AZO薄膜(AZTO)与AZO薄膜相比,Ti的掺入在AZO禁带处形成了杂质能级,增强了光吸收,使AZTO的透射率明显下降。Gd掺杂不改变AZO薄膜的晶粒取向,但Gd掺杂AZO薄膜(AGZO)表面形貌粗