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封装Analternativeis‘flip-chip’:PadsaredistributedaroundthechipThesolderingballsareplacedonpadsThechipis‘flipped’ontothepackageCanhavemanymorepads三态缓冲器InEnEnVDDOutOut=In.En+Z.EnVDDInEnEnOut增加输出驱动减小摆动Reducingtheswingpotentiallyyieldslinear
reductionindelayAlsoresultsinreductioninpowerdissipationDelaypenaltyispaidbythereceiverRequiresuseof“senseamplifier”torestoresignallevelFrequentlydesigneddifferentially(e.g.LVDS)单点静态驱动器和接收器CLVDDVDDVDD驱动器接收器VDDLVDDLInOutOut动态降低摆幅电路互连电阻的影响WehavealreadylearnedhowtodriveRCinterconnectImpactofresistanceiscommonlyseeninpowersupplydistribution:IRdropVoltagevariationsPowersupplyisdistributedtominimizetheIRdropandthechangeincurrentduetoswitchingofgates噪声容限M1XIR9RDVfpreDVVDDVDD2DV9I电阻和功耗
分类问题Source:CadenceRequiresfastandaccuratepeakcurrentpredictionHeavilyinfluencedbypackagingtechnologyBeforeAfter能量分配Low-leveldistributionisinMetal1Powerhastobe‘strapped’inhigherlayersofmetal.ThespacingissetbyIRdrop,electromigration,inductiveeffectsAlwaysusemultiplecontactsonstraps功耗3层金属(EV4)3rd“coarseandthick”metallayeraddedtothetechnologyforEV4designPowersuppliedfromtwosidesofthedievia3rdmetallayer2ndmetallayerusedtoformpowergrid90%of3rdmetallayerusedforpower/clockroutingMetal3Metal2Metal1CourtesyCompaq4层金属(EV5)4th“coarseandthick”metallayeraddedtothetechnologyforEV5designPowersuppliedfromfoursidesofthedieGridstrappingdoneallincoarsemetal90%of3rdand4thmetalsusedforpower/clockroutingMetal3Metal2Metal1Metal4CourtesyCompaq2referenceplanemetallayersaddedtothetechnologyforEV6designSolidplanesdedicatedtoVdd/VssSignificantlylowersresistanceofgridLowerson-chipinductance6层金属–EV6Metal4Metal2Metal1RP2/VddRP1/Vs
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