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半导体制造过程控制系统（PCS）系列：光刻控制系统_6.光刻胶的应用与特性.docx

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    6.光刻胶的应用与特性

    6.1光刻胶的类型

    在半导体制造过程中，光刻胶（Photoresist）是光刻工艺中不可或缺的材料。根据其化学特性和在光刻过程中的反应机制，光刻胶可以分为多种类型。了解这些类型的光刻胶及其特性对于选择合适的材料和优化光刻工艺至关重要。

    6.1.1正性光刻胶

    正性光刻胶（PositivePhotoresist）在光照后会发生化学变化，使得被曝光的部分变得可溶于显影液。未曝光的部分保持不溶，从而在显影过程中形成所需的图形。正性光刻胶的主要特性包括：

    化学反应：光照后，光敏剂分解产生酸，酸促使曝光区域的光刻胶溶解。

    分辨率：正性

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