微电子概论（第3版）课件2-4-6A_BJT开关作用.pptx

目录1.晶体管开关作用与开关电路2.4.6BJT开关特性2.晶体管开关应用的两种稳定状态?3.稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布4.BJT开关过程分析5.BJT开关参数6.提高开关速度的主要技术途径

1.晶体管开关作用与开关电路(1)晶体管开关作用与开关参数(a)晶体管开关与理想开关作用对比以共射极连接的晶体管开关为例说明与理想开关作用的差距

1.晶体管开关作用与开关电路(1)晶体管开关作用与开关参数(b)描述晶体管开关作用的参数“关断”状态漏电流：稳定“关断”状态时的漏电流ICEO应尽量小“导通”状态饱和压降：稳定“导通”状态时的饱和压降VCES应尽量小开关速度：导通和关断之间的转换速度应尽量快，即开关时间应尽量小

1.晶体管开关作用与开关电路(2)晶体管开关电路(a)电路图（例）负载线（LoadLine）直流工作点与不同工作状态：(b)复习：BJT输出特性曲线放大：例如IB=0.03mA情况截止：例如IB=0mA情况饱和：例如IB=0.06mA情况

1.晶体管开关作用与开关电路(3)临界放大条件(a)临界放大状态在正向放大状态下IC＝β0IBIB↑导致IC↑，使得VCE＝(VCC－Ic×RL)减小由VCE＝VCB+VBE，因此VCB随之减小IB增大到使得VCB小于0时，BJT脱离放大状态；IB增大到使VCB等于0时的状态为临界放大状态。

1.晶体管开关作用与开关电路(3)临界放大条件(b)临界驱动电流IBS临界放大状态时VCB=0，因此VCE=VBE≈0.7V。临界放大条件下，电流放大系数基本还维持=((VCC-VCE)/RL)/β0记为IB=IC/β0IBS=(VCC-VBE)/(RLβ0)IBS称为临界驱动电流，这也就是临界放大条件。

1.晶体管开关作用与开关电路(3)临界放大条件对图示电路，计算得IBS=0.043mABJT处于临界放大状态，这时IC=4.3mA若实际IB大于0.043mA，则晶体管脱离放大偏置条件要求。IBS=(VCC-VBE)/(RLβ0)由特性曲线可见，IB再增大，IC和VCE变化很小，晶体管进入饱和状态。(b)临界驱动电流IBS

2.晶体管开关应用的两种稳定状态(1)关断状态（Turn-off）若输入端电压VBB=-VR，BE结反偏，IB≈0；工作点位于负载线上A点，器件处于截止状态。称晶体管处于“关断”状态。这时输出端C、E之间流过很小的漏电流ICEO

2.晶体管开关应用的两种稳定状态(2)导通状态（Turn-on）若输入端电压VBB=VF=+5V，BE结正偏IB=(5V-0.7V)/10k=0.43mA远大于临界驱动电流IBS=0.043mA器件工作点位于负载线上B点晶体管进入饱和，称为“导通”状态。

2.晶体管开关应用的两种稳定状态(2)导通状态（Turn-on）导通状态下输出端C、E之间存在很小的压降，称为饱和电压VCES；导通状态下即使基极电流IB继续增大，输出电流IC和输出端C、E之间压降VCES基本不变。IB中超出临界驱动电流IBS的部分（IB-IBS）称为过驱动电流IBX

3.稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布(1)稳定“关断”状态下基区少子分布两个结均处于反偏，少子边界浓度趋于0。虽然基区平衡少子浓度nB0很小，为了描述少子分布形态，图中突出显示了nB0值。说明：

3.稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布(2)临界放大状态下的基区少子分布BE结正偏，BC结0偏由于基区很薄，基区少子分布近似为斜直线。记基区少子电荷为QBS。说明：BC结0偏，nB(xB)=nB0。由于实际nB0很小，图中忽略了nB0。

3.稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布(3)稳定“导通”状态下基区少子分布(a)少子分布扩散电流IC与少子分布斜直线的斜率成正比，复合电流IB与斜直线下方面积成正比。稳定“导通”状态下器件处于饱和状态，基极电流IB大于临界驱动电流IBS，因此基区少子分布nB(x)曲线下方面积比临界放大状态大得多。

3.稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布(3)稳定“导通”状态下基区少子分布与临界放大状态相比，IC基本不变，则少子分布nB(x)曲线斜率与临界放大状态相比基本相同。而nB(x)下方面积比临界放大状态情况大得多，因此饱和状态nB(x)分布必然是临界放大状态nB(x)分布斜直线的平行上移。(a)少子分布

3.稳定断开、导通状态下基区少数载流子分布(3)稳定“导通”状态下基区少子分布(b)导通状态的偏置特点饱和状态下，基区靠BC结势垒区边界处的少子浓度明显大于平衡值，说明BC结已处于正偏。

3.稳定断开、导通