微电子概论（第3版）课件2-5-2JFET结构与电流控制原理.pptx

IntroductiontoMicroelectronicsThirdEdition《微电子概论》（第3版）郝跃贾新章史江一

目录1.JFET结构2.5.2JFET结构与电流控制原理2.JFET中沟道电流的控制特点

1.JFET结构n沟耗尽型JFET结构：又称控制栅栅（Gate）：导电通道沟道（Channel）：提供导电载流子源（Source）：接受导电载流子漏（Drain）由于是高掺杂P+，可视为等电位。

1.JFET结构导电沟道为n型，因此称为n沟JFET。沟道长度：L，宽度：W。注意厚度2a为两个高掺杂栅区之间的距离，不是沟道厚度。如果将栅改为n型区域，沟道采用p型，则成为p沟JFET。n沟耗尽型JFET结构

2.JFET导电沟道的形成与控制栅和源之间加反偏因此沟道范围由耗尽层确定栅区p＋重掺杂耗尽层主要向n区扩展n区中导电沟道厚度发生变化改变栅源反偏电压耗尽层宽度变化导电沟道尺寸随之发生变化(1)n沟耗尽型JFET导电沟道的形成(2)导电沟道的控制

3.JFET中沟道电流的控制特点(1)栅源电压VGS控制沟道控制漏源之间的电流ID因此JFET是电压控制器件。(2)栅源电压VGS加在反偏的pn结上控制电流很小因此JFET工作时，是用一个小的输入功率控制一个比较大的输出功率。(3)ID是在沟道中由漏源之间电压VDS产生的电场作用下的多数载流子漂移电流JFET导电过程只涉及一种载流子因此称为单极器件。

为了方便起见，后面分析过程将采用剖面图。