第四章 电磁屏蔽技术.pptVIP

截止波导管的屏效截止波导管屏蔽效能=反射损耗：远场区计算公式近场区计算公式+吸收损耗圆形截止波导：32t/d矩形截止波导：27.2t/l孔洞计算屏蔽效能公式第30页，共45页，星期日，2025年，2月5日截止波导管的损耗第31页，共45页，星期日，2025年，2月5日截止波导管的设计步骤孔洞的泄漏不能满足屏蔽要求SE确定截止波导管的截面形状确定要屏蔽的最高的频率f确定波导管的截止频率fc计算截止波导管的截面尺寸由SE确定截止波导管的长度5f第32页，共45页，星期日，2025年，2月5日第四章电磁屏蔽技术第1页，共45页，星期日，2025年，2月5日电磁屏蔽屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:SE=20lg(E1/E2)dB第2页，共45页，星期日，2025年，2月5日实心材料屏蔽效能的计算入射波场强距离吸收损耗AR1R2SE＝R1＋R2＋A＋B＝R＋A＋BB第3页，共45页，星期日，2025年，2月5日吸收损耗的计算t入射电磁波E0剩余电磁波E1E1=E0e-t/?A＝20lg(E0/E1)=20lg(et/?)dB0.37E0?A＝8.69(t/?)dBA=3.34t?f?r?rdB第4页，共45页，星期日，2025年，2月5日趋肤深度举例第5页，共45页，星期日，2025年，2月5日反射损耗R＝20lgZW4Zs反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越大。ZS=3.68?10-7?f?r/?r远场：377?近场：取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变第6页，共45页，星期日，2025年，2月5日不同电磁波的反射损耗远场:R＝20lg3774Zs4500Zs=屏蔽体阻抗，D=屏蔽体到源的距离（m）f=电磁波的频率（MHz）2DfDfZsZs电场:R＝20lg磁场:R＝20lgdB第7页，共45页，星期日，2025年，2月5日影响反射损耗的因素1500.1k1k10k100k1M10M100M平面波3?108/2?rfR(dB)r=30m电场r=1m靠近辐射源r=30m磁场r=1m靠近辐射源第8页，共45页，星期日，2025年，2月5日综合屏蔽效能(0.5mm铝板)150250平面波00.1k1k10k100k1M10M高频时电磁波种类的影响很小电场波r=0.5m磁场波r=0.5m屏蔽效能（dB）频率第9页，共45页，星期日，2025年，2月5日多次反射修正因子的计算电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。B=20lg(1-e-2t/?)说明：B为负值，其作用是减小屏蔽效能当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时，可以忽略对于电场波，可以忽略第10页，共45页，星期日，2025年，2月5日怎样屏蔽低频磁场？低频磁场低频磁场吸收损耗小反射损耗小高导电材料高导磁材料高导电材料第11页，共45页，星期日，2025年，2月5日高导磁率材料的磁旁路效果H0H1H0RsR0H1R0RsSE=1+R0/RS第12页，共45页，星期日，2025年，2月5日低频磁场屏蔽产品第13页，共45页，星期日，2025年，2月5日磁屏蔽材料的频率特性151015坡莫合金?金属镍钢冷轧钢0.010.11.010100kHz?r103第14页，共45页，星期日，2025年，2月5日