第六章 二元族化合物的制备及其特征.pptVIP

第1页，共25页，星期日，2025年，2月5日回忆:硅的晶体结构;如何形成6-1-1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的晶体结构Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体:闪锌矿结构两套面心立方格子沿体对角线移动1/4长度套构而成.第2页，共25页，星期日，2025年，2月5日闪锌矿结构立方晶系面心立方格子GaAs第3页，共25页，星期日，2025年，2月5日纤锌矿晶体结构六方晶系简单六方格子GaN,InN,BN第4页，共25页，星期日，2025年，2月5日6-1-2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构锗和硅的能带结构Ge0.67eVSi1.12eV1.GaAs的能带结构第5页，共25页，星期日，2025年，2月5日III-V族化合物半导体GaAs1.43eV第6页，共25页，星期日，2025年，2月5日GaAs能带结构与Si、Ge能带结构相比，特点如下：1.GaAs的导带极小值与价带极大值都在K＝0，这种能带结构叫做直接跃迁型；而Si、Ge的极大和极小值所在的K值不同，这种能带结构叫做间接跃迁型。2.GaAs在100方向上具有双能谷能带结构，即除k＝0处有极小值外，在100方向边缘上存在另一个导带极小值，比中心极小值仅高0.36eV。因此电子具有主次两个能谷。3.GaAs的最高工作温度450℃.硅:250℃锗:100℃第7页，共25页，星期日，2025年，2月5日GaP间接跃迁型材料发光效率比直接跃迁型材料低但是如果某些杂质在GaP中可形成发光的辐射复合中心,使GaP从间接跃迁到直接跃迁转化,发光效率会提高.2.GaP的能带结构第8页，共25页，星期日，2025年，2月5日在半导体中，电子和空穴可以是自由运动的，也可以是被束缚的。电子由价带激发到导带，就形成自由的电子和空穴电子由价带激发到导带下面的一个激发态而未到达导带的时候，电子将被束缚在空穴的库仑场中，又不与空穴复合而形成激子。激子：电子与空穴间的库伦引力使两者处于束缚状态，这种被束缚的电子空穴对就叫激子。第9页，共25页，星期日，2025年，2月5日(补充)等电子杂质指与点阵中被替代的原子处于周期表中同一族的其他原子。例如GaP中取代P位的N或Bi原子。等电子杂质本身是电中性的,但由于它与被替代的原子有不同的电负性和原子半径，这些差异会产生以短程作用为主的杂质势，可以俘获电子(或空穴),称为等电子陷阱。通常电负性大的等电子杂质形成电子束缚态，反之形成空穴束缚态。电子俘获中心也可称为“电子陷阱”,空穴俘获中心可称为“空穴陷阱”.它们都应是禁带中的深能级。半导体中某些处于最近邻的施主－受主对，例如GaP中的Zn-O对及Cd－O对(尽管这些不是等电子杂质)，实际上类似于晶体中的中性分子。它们也以短程作用束缚电子，构成等电子陷阱。第10页，共25页，星期日，2025年，2月5日等电子陷阱通过短程势俘获电子(或空穴)之后，成为负电（或正电）中心，可以借助长程库仑作用吸引一个空穴（或电子），于是形成了等电子陷阱上的束缚激子。目前GaP中能形成电子陷阱束缚激子的杂质有N(绿光)，Bi（橙光），Zn－O（红光），Cd－O（红光）等第11页，共25页，星期日，2025年，2月5日6－1－3III-V族化合物的极性1.非中心对称性III-V族化合物半导体大多数是闪锌矿结构，这种结构是非中心对称的，它不具有反映中心。GaAs是一系列Ga原子和As原子组成的双原子层，因此晶体在对称晶面上的性质不同。如[111]和[]是不同的。把这种不对称性叫做极性III族原子称为A原子，对应的{111}面称为A面，V族原子称为B原子，对应的{111}面称为B面第12页，共25页，星期日，2025年，2月5日2.极性对解理性的影响硅锗金刚石结构中，（111）面间距最大，是解理面。闪锌矿晶体的解理面是（110）面3.极性对表面腐蚀和晶体生长的影响GaAs单晶的（111）A面和（111）B面有不同的腐蚀性。这种差异与III-V族化合物的极性有关。B面腐蚀速度比A面快.但是当把腐蚀液的温度升高,A,B面之间的差异就看不出来了.第13页，共25页，星期日，2025年，2月5日6-2砷化镓单晶的生长方法III-V族化合物体单晶主要从熔体中生长方法有水平布里奇曼法液态封存法第14页，共25页，星期日，2025年，2月5日1.水平布里奇曼法

（horizontalbridgmantechnique）水平布里奇曼法又叫横拉法。与水平区熔法相似两温区H