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34四川化工第25卷2022年第6期
还原炉内多晶硅生长速率控制方法研究
程俊
（四川永祥新能源有限公司，四川乐山，614800）
摘要
多晶硅生产是光伏产业中的一个重要环节，也是整个产业链的瓶颈环节。其生产成本占据整
个产业链30%以上，其成本高低直接影响到光伏发电能否平价上网或低价上网，这是绿色能源能
否取代传统能源的关键所在。如何降低多晶硅的生产成本，提高还原炉内反应速度，降低还原电耗
一直是研究的重点内容。本文就还原炉内多晶硅生长速率的影响因素、评判方法和控制逻辑进行
了详细阐述。
关键词：多晶硅还原反应生长速率分析与控制
境下发生反应，析出氯硅烷中的硅元素，并依附在硅
1多晶硅生长速率对产业的影响
芯表面进行结晶生长，形成晶体硅。随着硅芯表面
多晶硅生产过程中，还原生产电耗占据总电耗不断沉积，硅棒直径不断增加，直到达到出炉要求。
78%左右，还原用电成本占据总成本35%左右，所以生在还原炉内，发生的化学反应有很多种，据资料介
产速率的快慢直接影响多晶硅产量的发挥，也会直接绍，目前预估有80多种反应存在，主要反应包括以
影响生产电力消耗多少，从而影响总体生产成本。下两种：
如多晶硅生长速率低，单位时间产出的多晶硅1080℃
SiHCl3+H2Si+SiCl4+HCl(1)
产品就少，并且还原电耗、综合成本也会大幅上升；900℃
SiHCl3Si+SiCl4+H2(2)
但如多晶硅生长速率过快，也会造成以下严重影响：
通过实验室观察和实际生产过程验证，影响还
(1)生产速率快，硅棒生长不致密，会产生大量珊瑚
原反应和沉积速率的主要因素有：
料，更严重者，硅棒表面会产生毛刺；（2)因前期生长
2.1物料配比
速率过快，硅棒疏松，缝隙深，电流通过能力差，导致
物料配比具体为三氯氢硅和氢气配比，配比大
硅棒中心局部过热，产生融硅或者倒棒；（3）如过于
小决定了还原炉内三氯氢硅浓度。浓度越高，反应
加快硅棒生长速率，刻意提高气场温度，就会导致炉
越剧烈，沉积速度更快。
内发生严重雾化,产生大量无定形硅，容易对系统管
2.2进料中二氯二氢硅含量
道造成堵塞；同时硅棒表面附着大量低温硅粉，造成
硅棒产生夹黑脱层，影响产品质量。经实验和生产实践证明，虽然在还原炉反应尾
因此，对于多晶硅生长速率，需要综合进行考气中检查出二氯二氢硅含量增加。但在进料中,增
量，根据实际结果不断调整。在能保证产品质量的加二氯二氢硅含量，非但不会抑制还原反应，反而会
前提下从多方面进行优化控制，尽量逼近极限值，在因二氯二氢硅易分解的特性，加快还原炉内气相沉
电耗和质量之间取得最佳经济效益。积反应。在允许的范围内，提高二氯二氢硅浓度，还
原炉内气相反应明显加剧，硅棒生长速率明显加快，
2影响多晶硅生产速率的主要因素
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