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介电层抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

表面活性剂OP-10

2

三乙胺

3

40~60nm粒径的二氧化硅

33

乙二胺四乙酸

0.5

硝酸铵

1.5

水

余量

制备方法在水中加入表面活性剂，搅拌均匀，先加入PH调节剂，缓慢加入二氧化硅，搅拌经过静置，等溶液稳定后，再加入螯合剂、铵盐，混合搅拌均匀，所配的抛光液的PH值范围在10.5~11，Na离子含量范围0.07%，粘度小于5mPa.s。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：二氧化硅磨料2~50、PH调节剂0.2~10、螯合剂0.1~5、铵盐0.1~5、表面活性剂0.01~5、水余量。

所述的PH调节剂为碱性有机胺，如三乙胺和二异丁基胺中至少一种，不含金属离子而且不具有臭味。用来调节抛光液的PH值，使二氧化硅处于良好的悬浮状态，提供稳定的抛光速率。采用的胺不含金属类成分避免对硅片的粘污而影响以后的器件的性能。

所述的鳌合剂为乙二胺四乙酸和柠檬酸及其盐中的至少一种。可以和前制程带入的大量金属离子结合而除去，从而改善抛光片的质量。

所述的表面活性剂为醇醚类非离子类表面活性剂，如OP-10，TX-10等，可以优先吸附，形成长期易清洗的物理吸附表面，以改善表面状态，同时提高质量传递速率，以降低晶圆的表面粗糙度。

所述的铵盐为为硝酸铵，硫酸铵中至少一种。适当的用量可以改善二氧化硅和介电层表面的亲水性，辅助PH调节剂提供稳定的抛光速率。

产品应用本品主要应用于介电层抛光。

产品特性

（1）本品所采用的二氧化硅磨料在制备时通过对表面改性，改善其表面的物理和化学性能，粒径范围为40~60nm，并通过纯化，使其Na离子含量范围＜0.07%，避免对晶片的粘污而影响以后的器件的性能。并用PH调节剂调节PH值范围为10~11，使抛光液处于稳定悬浮状态。

（2）在使用该抛光液时，先把所配制的抛光液和去离子水的配比为1:1稀释，在采用美国3800型化学机械抛光机，RodelIC1400抛光垫的情况下，抛光压力200g/cm2，转速45rpm，抛光流量200ml/min，对介电层进行规定时间加工，抛光后进行清洗，抛光速率为0.1~0.2um/min，表面质量无严重损伤，低表面粗糙度。

参考文献中国专利公告CN－200910001030.3