CN119497459A 太阳能电池及其制作方法、光伏组件 （阳光新能源开发股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497459A(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202411570343.1

(22)申请日2024.11.01

(71)申请人阳光新能源开发股份有限公司

地址230088安徽省合肥市高新区天湖路2

号

(72)发明人请求不公布姓名请求不公布姓名

(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260

专利代理师戴莹瑛

(51)Int.CI.

H10F77/30(2025.01)

H10F10/10(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

权利要求书2页说明书16页附图2页

(54)发明名称

太阳能电池及其制作方法、光伏组件

(57)摘要

CN119497459A本申请实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，太阳能电池包括基底、化学钝化层、第一氧化铝层、阻挡层以及第二氧化铝层。化学钝化层位于基底的第一侧，化学钝化层用于钝化基底表面；第一氧化铝层位于化学钝化层远离基底的表面，第一氧化铝层用于向基底表面提供氢原子；阻挡层位于第一氧化铝层远离化学钝化层的表面；第二氧化铝层位于阻挡层远离第一氧化铝层的表面，第二氧化铝层用于对基底表面进行场钝化；第一氧化铝层中含有负电荷且具有第一电荷密度，第二氧化铝层中含有负电荷且具有第二电荷密度，第二电荷密度大于第一电荷密度。本申请实施例提供的太阳能电池的表面钝化

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CN119497459A权利要求书1/2页

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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有相对的第一侧和第二侧；

化学钝化层，所述化学钝化层位于所述基底的第一侧，所述化学钝化层用于钝化所述基底表面；

第一氧化铝层，所述第一氧化铝层位于所述化学钝化层远离所述基底的表面，所述第一氧化铝层用于向所述基底表面提供氢原子；

阻挡层，所述阻挡层位于所述第一氧化铝层远离所述化学钝化层的表面；

第二氧化铝层，所述第二氧化铝层位于所述阻挡层远离所述第一氧化铝层的表面，所述第二氧化铝层用于对所述基底表面进行场钝化；

其中，所述第一氧化铝层中含有负电荷且具有第一电荷密度，所述第二氧化铝层中含有负电荷且具有第二电荷密度，所述第二电荷密度大于所述第一电荷密度。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述化学钝化层、所述第一氧化铝层以及所述阻挡层的总厚度为2nm～4.1nm。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述化学钝化层的厚度为0.4nm~0.8nm;所述阻挡层的厚度为0.8nm～1.7nm;所述第一氧化铝层的厚度为0.8nm～1.6nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一氧化铝层中的氢原子含量大于所述第二氧化铝层中的氢原子含量。

5.根据权利要求1或4所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述第二侧指向所述第一侧的方向上，所述第一氧化铝层中的氢原子含量逐渐增加。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一氧化铝层包括层叠设置的多层氧化铝子层，且在沿所述第二侧指向所述第一侧的方向上，相邻层的所述氧化铝子层内的氢原子含量逐层增加。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二氧化铝层的厚度大于所述第一氧化铝层的厚度。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二氧化铝层的厚度为3.8nm~6nm。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述阻挡层的厚度大于所述化学钝化层的厚度，所述阻挡层的致密度大于所述化学钝化层的致密度。

10.根据权利要求1或9所述的太阳能电池，其特征在于，所述化学钝化层的材料包括氧化硅、含氢氧化硅或者含氮氧化硅；所述阻挡层的材料包括氧化硅或者含氮氧化硅。

11.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有相对的第一侧和第二侧；

在所述基底的第一侧上形成化学钝化层，所述化学钝化层用于钝化所述基底表面；

在所述化学钝化层上形成第一氧化铝层，所述第一氧化铝层用于向所述基底表面提供氢原子；

在所述第一氧化铝层上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成第二氧化铝层，所述第二氧化铝层用于对所述基底表面进行场钝

化；

其中，所述第一氧化铝层中含有负电荷且具有第一电荷密度，所述第二氧化铝层中含

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