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生物发酵过程优化工程师岗位招聘考试试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.发酵过程中，溶解氧（DO）的常用检测方法除极谱法外，还有______法。

2.工业发酵无菌空气过滤的常用介质有棉花、玻璃棉和______。

3.发酵培养基中，碳源除供能外，还作为______的来源。

4.好氧发酵搅拌的主要作用是增加______传递效率。

5.发酵pH下降时，常用固体调节物质是______。

6.菌种扩大培养的目的是获得足够数量的______。

7.发酵泡沫过多会导致______（写1个即可）。

8.分批发酵的核心特点是______（如无中间补料）。

9.连续发酵中，稀释率D的临界值等于______。

10.发酵尾气CO?检测常用______法。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下不属于发酵在线检测参数的是：

A.溶解氧B.pHC.菌体浓度D.温度

2.好氧发酵DO低于临界值时，菌体生长速率会：

A.加快B.减慢C.不变D.先快后慢

3.发酵培养基灭菌常用：

A.干热灭菌B.高压蒸汽灭菌C.紫外线灭菌D.过滤灭菌

4.菌种甘油管藏的甘油浓度通常为：

A.10%B.20%C.30%D.50%

5.高粘度发酵液适合的搅拌器是：

A.桨式B.涡轮式C.锚式D.推进式

6.发酵泡沫过多时可添加的消泡剂是：

A.葡萄糖B.豆油C.硫酸铵D.碳酸钙

7.分批发酵稳定期的特点是：

A.菌体快速增长B.菌体浓度基本不变C.菌体快速下降D.无生长

8.不影响发酵DO的因素是：

A.搅拌转速B.通气量C.初始pHD.菌体浓度

9.工业发酵种子罐接种量一般为：

A.1%-5%B.5%-20%C.20%-50%D.50%-100%

10.发酵优化的核心目标是：

A.提高菌体浓度B.提高产物得率C.降低能耗D.以上都是

三、多项选择题（每题2分，共20分）

1.影响菌体生长的环境因素包括：

A.温度B.pHC.溶解氧D.培养基成分

2.好氧发酵通气策略包括：

A.恒通气量B.恒DOC.随菌体调整通气量D.脉冲通气

3.发酵培养基组成包括：

A.碳源B.氮源C.无机盐D.生长因子

4.发酵控制参数包括：

A.搅拌转速B.通气量C.补料速率D.温度

5.菌种选育方法包括：

A.自然选育B.诱变育种C.基因工程育种D.细胞融合

6.发酵染菌常见原因：

A.灭菌不彻底B.空气过滤失效C.设备泄漏D.操作不当

7.连续发酵优点：

A.生产效率高B.设备利用率高C.产物浓度稳定D.菌种不易退化

8.消泡剂作用机理：

A.降低泡沫表面张力B.破坏泡沫稳定性C.增加泡沫粘度D.促进泡沫破裂

9.发酵pH调节方法：

A.添加酸B.添加碱C.补料调节D.改变通气量

10.发酵优化常用技术：

A.响应面法B.正交试验C.代谢流分析D.在线检测控制

四、判断题（每题2分，共20分）

1.好氧发酵搅拌转速越高，DO一定越高。（）

2.培养基灭菌温度越高、时间越长越好。（）

3.种子罐培养条件应与发酵罐一致。（）

4.连续发酵菌体浓度不随时间变化。（）

5.消泡剂添加量越多，效果越好。（）

6.CO?积累过多会抑制菌体生长。（）

7.分批发酵产物浓度比连续发酵高。（）

8.菌种扩大接种量越大越好。（）

9.温度控制对发酵至关重要。（）

10.在线检测可实时反映发酵状态。（）

五、简答题（每题5分，共20分）

1.简述好氧发酵DO的控制策略。

2.发酵培养基灭菌的关键控制点有哪些？

3.菌种扩大培养的流程及注意事项。

4.发酵染菌的危害及快速排查方法。

六、讨论题（每题5分，共10分）

1.如何平衡好氧发酵DO供应与能耗的关系？

2.连续发酵与分批发酵的优缺点对比及选择原则。

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参考答案

一、填空题

1.荧光2.活性炭3.菌体细胞物质4.氧（溶解氧）5.碳酸钙

6.活性菌体（种子）7.染菌（逃液、影响通气等）8.一次性投料（无中间补料）

9.菌体最大比生长速率（μmax）10.红外吸收

二、单项选择题

1.C2.B3.B4.C5.C6.B7.B8.C9.B10.D

三、多项选择题

1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABCD5.ABCD

6.ABCD7.ABC8.ABD9.ABC10.ABCD

四、判断题

1.×2.×3.√4.×5.×6.√7.×8.×9.√10.√

五、简答题

1.好氧发酵DO控制策略：

①阶段化调节：前期低转速/通气，中期随菌体增长提高转速/通气；②DO临界值控制：维持DO在菌体生长/产物合成的适宜范围（如20%-30%饱和度）；③补料协同：控制碳源补加速率，避免菌体过度增殖耗氧；④消泡优化：减少泡沫阻碍氧传递；⑤设备节能：采用高效搅拌器+变频控制，平衡氧传递与能耗。

2.培养基灭菌关键控制点：

①温度时间：121℃/30min（或115℃