CN117393617A 异质结太阳能电池及其制作方法 （天合光能股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117393617A(43)申请公布日2024.01.12

(21)申请号202311329232.7

(22)申请日2023.10.13

(71)申请人天合光能股份有限公司

地址213031江苏省常州市新北区天合光

伏产业园天合路2号

申请人天合光能(常州)科技有限公司

(72)发明人高纪凡孟子博李宏伟霍亭亭侯承利杨广涛陈达明

(74)专利代理机构上海隆天律师事务所31282专利代理师万铁占

(51)Int.CI.

HO1L31/0216(2014.01)

HO1L31/0747(2012.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

异质结太阳能电池及其制作方法

(57)摘要

CN117393617A1本发明提供了异质结太阳能电池及其制作方法，异质结太阳能电池包括：异质结单元；位于异质结单元正面的透明导电层和栅线电极；位于异质结单元背面的氧化铝层，包含交替排布的第一子氧化铝膜和第二子氧化铝膜，第一子氧化铝膜与第二子氧化铝膜之间具有厚度差；金属电极层，位于氧化铝层背向异质结单元的一侧，覆盖第一子氧化铝膜和第二子氧化铝膜。氧化铝层相较于相关技术的透明导电氧化物材料，起到双重钝化作用。同时，较厚的子氧化铝膜用作金属阻挡层，较薄的子氧化铝膜可以出现纳米尺度效应而出现量子隧穿，这样载流子可以越过势垒而形

CN117393617A

1

CN117393617A权利要求书1/2页

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1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

异质结单元；

位于所述异质结单元正面的透明导电层和栅线电极；

位于所述异质结单元背面的氧化铝层，包含交替排布的第一子氧化铝膜和第二子氧化铝膜，所述第一子氧化铝膜与第二子氧化铝膜之间具有厚度差；

金属电极层，位于所述氧化铝层背向所述异质结单元的一侧，覆盖所述第一子氧化铝膜和第二子氧化铝膜。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一子氧化铝膜比所述第二子氧化铝膜厚，所述第一子氧化铝膜的厚度范围为2.5-4nm。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二子氧化铝膜比所述第一子氧化铝膜薄，所述第二子氧化铝膜的厚度为0.8-1.5nm。

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一子氧化铝膜和第二子氧化铝膜之间的厚度差是通过对所述氧化铝层进行图形化减薄处理得到的。

5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结单元包括：

基底；

位于所述基底正面并依次排布的第一本征非晶硅层和第一掺杂层；

位于所述基底背面并依次排布的第二本征非晶硅层和第二掺杂层，所述第一掺杂层和基底的掺杂类型相同，所述第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型相反。

6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层包括：第一掺杂微晶硅层和第一掺杂微晶碳氧化硅层，所述第一掺杂微晶硅层位于所述第一掺杂微晶碳氧化硅层背向所述基底的一侧；

所述第二掺杂层包括：第二掺杂微晶硅层和第二掺杂微晶碳氧化硅层，所述第二掺杂微晶硅层位于所述第二掺杂微晶碳氧化硅层背向所述基底的一侧。

7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂微晶硅层的掺杂浓度大于所述第一掺杂微晶碳氧化硅层的掺杂浓度；所述第二掺杂微晶硅层的掺杂浓度大于所述第二掺杂微晶碳氧化硅层的掺杂浓度。

8.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂微晶硅层的晶化率大于所述第一掺杂微晶碳氧化硅层的晶化率；所述第二掺杂微晶硅层的晶化率大于所述第二掺杂微晶碳氧化硅层的晶化率。

9.一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

制备异质结单元；

在所述异质结单元的正面依次制作透明导电层和栅线电极；

在所述异质结单元的背面依次制作氧化铝层和金属电极层，所述氧化铝层包含交替排布的第一子氧化铝膜和第二子氧化铝膜，所述第一子氧化铝膜与第二子氧化铝膜之间具有厚度差，所述金属电极层覆盖所述第一子氧化铝膜和第二子氧化铝膜。

10.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述在所述异质结单元的背面依次制作氧化铝层，包括：

在所述异质结单元的背面形成氧化铝材料；

对