CN114551647A 一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法 (中国电子科技集团公司第四十四研究所).docxVIP

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  • 2026-02-04 发布于重庆
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CN114551647A 一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法 (中国电子科技集团公司第四十四研究所).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114551647A(43)申请公布日2022.05.27

(21)申请号202210175592.5

(22)申请日2022.02.24

(71)申请人中国电子科技集团公司第四十四研究所

地址400060重庆市南岸区南坪花园路14

(72)发明人高建威刘香龙梅张晓琴

(74)专利代理机构重庆辉腾律师事务所50215

专利代理师王海军(51Int.CI.

HO1L31/18(2006.01)

HO1L31/0232(2014.01)

HO1L31/107(2006.01)

GO2B3/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法

(57)摘要

CN114551647A本发明属于半导体光电器件工艺制作领域,特别涉及一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法,即制备APD器件,并将该器件背面减薄抛光至300μm,并在背面制作微透镜,制作微透镜的过程包括:在APD器件背面的表面涂覆50μm厚的SU8垫层,在200℃下对垫层进行固化;在垫层上进行第一次聚酰亚胺覆涂,涂覆聚酰亚胺的厚度为15μm,完成涂覆后进行光刻;在完成光刻的第一次聚酰亚胺上进行第二次聚酰亚胺覆涂,涂覆聚酰亚胺的厚度为15μm,完成涂覆后进行光刻,并对PAD区域光刻;在260℃下进行热熔成型,并在反射镜背面进行金属淀积,完成微透镜的制作;本发明提高器件响应

CN114551647A

无间隔

33μm

50μm

SU8垫层

光电器件

CN114551647A权利要求书1/1页

2

1.一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法,其特征在于,制备APD器件,并将该器件背面减薄抛光至300μm,并在背面制作微透镜阵列,微透镜阵列中每一行微透镜错开设置,制作微透镜的过程包括以下步骤:

在APD器件背面的表面涂覆50μm厚的SU8光刻胶垫层,在200℃下对垫层进行固化;

在垫层上进行第一次聚酰亚胺覆涂,涂覆聚酰亚胺的厚度为15μm,完成涂覆后进行光刻;

在完成光刻的第一次聚酰亚胺上进行第二次聚酰亚胺覆涂,涂覆聚酰亚胺的厚度为15μm,完成涂覆后进行光刻,并对PAD区域光刻;

在260℃下进行热熔成型,并在反射镜背面进行金属淀积,完成微透镜的制作。

2.根据权利要求1所述的一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法,其特征在于,制备APD器件的过程包括:选择高阻外延硅片,并在其上依次进行截止环、保护环、介质层、雪崩区、光敏区、接触孔以及正面金属的制备。

3.根据权利要求1所述的一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法,其特征在于,在制备过程中,相邻两个微透镜第一次聚酰亚胺之间的距离为5μm。

4.根据权利要求1所述的一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法,其特征在于,微透镜的直径或者最大对角距离大于200微米。

5.根据权利要求1所述的一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法,其特征在于,SU8光刻胶的粘度值为7800~8200,聚酰亚胺cp值为800~1200。

CN114551647A说明书1/4页

3

一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法

技术领域

[0001]本发明属于半导体光电器件工艺制作领域,特别涉及一种可用于红外光电器件的大直径像元级折射微透镜制作方法。

背景技术

[0002]对于折射微透镜,目前已经报道的制作微小透镜列阵的方法主要有平面工艺离子交换法、光敏玻璃法、全息法、菲涅耳波带透镜法、溶胶一凝胶法、光刻胶熔融法、PMMAX光照射及熔融法。微小透镜的二次成形制作法有反应离子刻蚀法、电子束刻蚀,以及激光刻蚀

法。

[0003]而再大一些的贴片玻璃式透镜在焦点偏移和焦距深度、入射角度等方面有先天劣势,无法满足200μm左右像元大小的器件制作。综上所述,该器件面临以下几个现有技术无法解决的问题:

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