CN114284210A 半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114284210A

(43)申请公布日2022.04.05

(21)申请号202111652637.5

(22)申请日2021.12.30

H01L27/11578(2017.01)

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人孙超许文山江宁

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570

代理人孟霞

(51)Int.CI.

HO1LHO1LHO1LHO1L

21/8234(2006.01)

27/088(2006.01)

27/11529(2017.01)

27/11551(2017.01)

H01127/11573(2017.01)

权利要求书2页说明书9页附图9页

(54)发明名称

半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统

(57)摘要

CN114284210A本发明提供了一种半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统，半导体器件的制作方法，包括：提供半导体层，半导体层包括有源区以及将有源区隔开的隔离区；在有源区中形成第一掺杂区；在有源区远离半导体层的一侧形成栅极，并在有源区中形成源极和漏极；其中，第一掺杂区靠近有源区与隔离区在第二方向上的交界处，且第一掺杂区在栅极的投影至少部分位于栅极内，源极和漏极的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同且掺杂浓度不同。通过在有源区和隔离区的交界处形成掺杂类型相同且掺杂浓度不同的第一掺杂区，使沟道边缘浓度增加，抑制了边缘沟道的提前开启，能有效地改善半导体器件的Id-Vg

CN114284210A

提供半导体层，半导体层包括有源区以及将有源区隔

提供半导体层，半导体层包括有源区以及将有源区隔开的隔

离区

在有源区中形成第一掺杂区

在有源区远离半导体层的一侧形成栅极，并在有源区中形成

源极和漏极，源极和漏极分别位于栅极于第一方向的两外

侧；其中，栅极沿第一方向延伸，第一掺杂区靠近有源区与

隔离区在第二方向上的交界处，且第一掺杂区在栅极的投影

至少部分位于栅极内，源极和漏极的掺杂类型与第一掺杂区

的掺杂类型相同且掺杂浓度不同

S103

S101

CN114284210A权利要求书1/2页

2

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体层，所述半导体层包括有源区以及将所述有源区隔开的隔离区；

在所述有源区中形成第一掺杂区；

在所述有源区远离所述半导体层的一侧形成栅极，并在所述有源区中形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极于第一方向的两外侧；

其中，栅极沿第一方向延伸，所述第一掺杂区靠近所述有源区与所述隔离区在第二方向上的交界处，且所述第一掺杂区在所述栅极的投影至少部分位于所述栅极内，所述源极和所述漏极的掺杂类型与所述第一掺杂区的掺杂类型相同且掺杂浓度不同。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述有源区中形成第一掺杂区，具体包括：

在所述半导体层上形成氧化层；

在所述有源区上形成图案化的光刻胶层；

对所述有源区和所述隔离区进行离子注入，以在所述交界处形成第一掺杂区。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述对所述有源区和所述隔离区进行离子注入之后，还包括：

依据所述光刻胶层在所述隔离区形成隔离沟槽，所述隔离沟槽用于将所述有源区隔开。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述有源区中形成第一掺杂区，具体包括：

在所述半导体层上形成氧化层；

在所述隔离区形成多个隔离结构，所述隔离结构用于将所述有源区隔开；

在所述有源区上形成图案化的光刻胶层；

对所述隔离结构和所述有源区进行离子注入，以在所述交界处形成第一掺杂区。

5.如权利要求2或4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层在所述第二方向上与所述有源区形成有间隔区域，所述间隔区域在所述第二方向上的宽度不大于10nm。

6.如权利要求2或4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述离子注入的方向与沿垂直于所述半导体层的纵向的夹角不大于15°。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂类型包括N型或P型。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体层，所述半导体层包括有源区以