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(2025年)半导体芯片制造工考试试题(+答案)

一、单项选择题（每题1分，共30分。每题只有一个正确答案，错选、多选均不得分）

1.在14nmFinFET工艺中，栅极长度缩短至20nm以下时，为抑制短沟道效应（SCE），下列哪一项工艺模块对阈值电压（Vth）调控贡献最大？

A.源/漏外延原位掺杂浓度

B.高κ金属栅（HKMG）功函数金属堆叠厚度

C.浅沟槽隔离（STI）深度

D.接触孔硅化物退火温度

答案：B

解析：HKMG中功函数金属的厚度直接决定栅极功函数，从而线性移动Vth；其余选项对Vth影响呈二次或指数衰减。

2.使用193nmArF浸没式光刻进行7nm节点金属层图形化时，为克服光刻胶对比度不足，最先采用的RET（分辨率增强技术）是：

A.相移掩模（PSM）+光学邻近修正（OPC）

B.多重曝光自对准四重图形（SAQP）

C.极紫外（EUV）单曝光

D.电子束直写（EBDW）

答案：A

解析：7nm金属层仍可由193nm+SAQP完成，但RET顺序是PSM+OPC最先引入，SAQP属于后续工艺级联。

3.在Cu双大马士革工艺中，为提高电迁移（EM）寿命，在Cu合金中微量添加哪一元素可在晶界处形成钉扎效应且对电阻率影响最小？

A.Al

B.Mn

C.Sn

D.Ag

答案：B

解析：Mn在退火中迁移至晶界生成MnOx，钉扎晶界空位，且固溶度低，电阻率增量1μΩ·cm。

4.下列关于等离子体刻蚀“微沟槽”（microtrenching）现象的描述，正确的是：

A.仅发生在电介质刻蚀，与金属刻蚀无关

B.由离子侧向散射与掩模形貌共同导致

C.提高偏压功率可完全消除

D.与电子温度（Te）无关

答案：B

解析：离子在掩模边缘发生小角度散射，局部离子通量增强，形成微沟槽；金属刻蚀同样存在；提高偏压会加剧；Te影响离子角分布。

5.在晶圆厂AMHS（自动物料搬运系统）中，OHT小车出现“幻停”（phantomstop）故障，最可能触发哪一类SECSIIStream6事件？

A.CollectionEventCEID=“CarrierArrived”

B.AlarmReportALID=“OverTemperature”

C.RemoteCommandRCMD=“Pause”

D.StatusVariableSVID=“InterlockActive”

答案：D

解析：幻停多由轨道干涉传感器误触发，对应EquipmentConstantInterlockActive状态变量上报。

6.当晶圆进入LPCVD炉管生长Si?N?薄膜时，发现炉口端片厚度比炉尾薄15%，下列调整策略最有效的是：

A.提高炉口端温度设定值10°C

B.降低炉尾端NH?流量10%

C.提高炉口端DCS（SiH?Cl?）流量5%

D.提高炉尾端压力0.2Torr

答案：C

解析：Si?N?生长速率受DCS限制，炉口DCS浓度低导致厚度薄，局部提高DCS可补偿梯度；温度提高会加剧热迁移，NH?过量会抑制沉积。

7.在EUV光刻胶（CAR型）曝光后烘烤（PEB）过程中，酸扩散长度σ与哪个参数呈线性关系？

A.曝光剂量E?

B.PEB温度T

C.保护基团脱保护活化能Ea

D.显影液浓度

答案：B

解析：酸扩散系数D∝exp(–Ea/kT)，扩散长度σ=√(Dt)，t固定时σ与√T呈近似线性。

8.对GaNonSi功率器件而言，为抑制缓冲层漏电，最常引入的C掺杂浓度量级为：

A.1×101?cm?3

B.1×101?cm?3

C.1×101?cm?3

D.1×102?cm?3

答案：C

解析：C在GaN中形成深受主，补偿背景n型，浓度1×101?cm?3可提升击穿电压50V，过高会恶化迁移率。

9.在先进封装中使用CuμBump（间距40μm）时，为防止回流后桥连，助焊剂卤素含量需控制在：

A.0.05wt%

B.0.3wt%

C.0.8wt%

D.1.5wt%

答案：A

解析：卤素残留易吸湿形成Cu腐蚀产物，微间距下桥连阈值0.05wt%，JEDECJSTD004B规定L0级。

10.当采用SAQP形成20nm间距栅极时，第一次侧墙（Spacer1）SiO?厚度设计值为：

A.10nm

B.15nm

C.20nm

D.25nm

答案：B

解析：SAQ