CN110112263A 一种大功率led封装用基板、基板制作方法及其封装结构 （电子科技大学中山学院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110112263A

(43)申请公布日2019.08.09

(21)申请号201910395374.0

(22)申请日2019.05.13

(71)申请人电子科技大学中山学院

地址528400广东省中山市石岐区学院路1

号

(72)发明人王可徐梦雪王悦辉

(74)专利代理机构成都环泰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)51242

代理人赵红欣李斌

(51)Int.CL.

H01LH01L

H01LH01L

33/00(2010.01)

33/48(2010.01)

33/62(2010.01)

33/64(2010.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

一种大功率LED封装用基板、基板制作方法及其封装结构

(57)摘要

CN110112263A本发明涉及一种大功率LED封装用基板、基板制作方法及其封装结构，包括基板和封装结构，所述基板上设置有铜线路、导热绝缘层、石墨层和石墨烯镀层的金属块，所述封装结构包括LED芯片、金属绑定线、引线框架和封装树脂，所述基板外露在封装结构的一侧，所述金属绑定线，所述LED芯片和线路之间，以及所述铜线路和引线框架之间通过金属绑定线连接，所述封装树脂设置在基板的外侧。大功率LED封装用基板、基板制作方法及其封装结构，在石墨层中设置了带有石墨烯镀层的金属嵌块，保持原有石墨层横向导热优异的特性的同时，石墨层在纵向的导热系数大大提升，解决了石墨层在纵向散热能力差的

CN110112263A

CN110112263A权利要求书1/1页

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1.一种大功率LED封装用基板，包括，基板本体(1)、铜线路(11)、导热绝缘层(12)、石墨层(13)和石墨烯镀层的金属块(14),其特征在于：所述基板本体(1)包括铜线路(11)、导热绝缘层(12)、石墨层(13)和石墨烯镀层的金属块(14),所述石墨层(13)内不嵌入有石墨烯镀层的金属块(14),所述石墨层(13)与导热绝缘层(12)之间通过热压合方法进行粘合，所述铜线路(11)通过涂布法与导热绝缘层(12)结合在一起。

2.根据权利要求1所述的大功率LED封装用基板，其特征在于：所述铜线路(11)由化学溶液蚀刻而成。

3.根据权利要求1所述的大功率LED封装用基板，其特征在于：所述导热绝缘层(12)的导热填料可以是二氧化硅、氧化铝、氮化硼、碳化硅、氮化铝之中的一种或多种组合。

4.根据权利要求1所述大功率LED封装用基板，其特征在于：所述石墨烯镀层的金属块

(14)为在金属块外表面化学气相沉积发蒸镀石墨烯，所述石墨烯镀层的金属块(14)至少嵌入1个，所述石墨烯镀层的金属块(14)的金属块厚度与石墨片的厚度相同，所述石墨烯镀层的金属块(14)的镀层厚度为1纳米-500纳米。

5.一种大功率LED封装用基板制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1:铜箔表面涂布导热绝缘胶；

S2:在金属块体表面化学气相均匀沉积石墨烯镀层；

S3:石墨片冲切镂空，并将S2制作的石墨烯镀层金属块嵌入石墨片内；

S4:将S1制成的带胶铜箔与S3制作的石墨片进行热压合；

S5:将S4制成的压合板的铜箔表面蚀刻成线路，形成LED基板。

6.根据权利要求5所述的大功率LED封装用基板制作方，其特征在于：所述步骤S1中涂布导热绝缘胶时60-80℃烘烤10-15min,再120-140℃烘烤10-15min,最后140-160℃烘烤5-10min。

7.根据权利要求5所述的大功率LED封装用基板制作方法，其特征在于：所述步骤S4中压合温度180-200℃,时间1-2小时。

8.一种大功率LED封装结构，包括基板(1)和封装结构(2),其特征在于：所述基板(1)上设置有铜线路(11)、导热绝缘层(12)、石墨层(13)和石墨烯镀层的金属块(14),所述封装结构(2)包括LED芯片(21)、金属绑定线(22)、引线框架(23)和封装树脂(24),所述基板(1)外露在封装结构(2)的一侧，所述LED芯片(21)与引线框架(23)通过锡膏焊料焊接在铜线路

(11)上，且引线框架(23)设置在LED芯片(21)后侧，所述金属绑定线(22),所述LED芯片和线路(11)之间，以及所述铜线路(11)和引线框架(23)之间通过金属绑定线(22)连接，所述封装树