CN108666212A 一种led芯片制作方法 （南方科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108666212A

(43)申请公布日2018.10.16

(21)申请号201810409971.X

(22)申请日2018.05.02

(71)申请人南方科技大学

地址518000广东省深圳市南山区西丽学

苑大道1088号

(72)发明人孙小卫刘召军王立铎魏枫

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

代理人孟金喆

(51)Int.CI.

HO1L21/304(2006.01)

HO1L33/00(2010.01)

权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种LED芯片制作方法

CN1086662

CN108666212A

(57)摘要

本发明公开了一种LED芯片制作方法，该LED芯片制作方法包括：提供衬底；根据单颗LED芯片尺寸将衬底进行切割处理；在衬底上形成LED芯片外延层；形成多个单颗LED芯片的电极。本发明提供的技术方案，通过先对衬底进行切割处理，再在切割处理后的衬底上形成LED芯片外延层，在不改变LED芯片总体制造工艺的情况下，可以避免对衬底进行切割处理过程中对外延层造成损伤，且可以有效缓解外延层不均匀而导致的形成的LED芯片发出的光波长不一致的问题和LED芯片巨量转移造成的资源浪费的问题，提高了形成的LED芯片的性能和质量，节约了大量时间和资源。

提供衬底

根据单颗LED志片尺寸将衬底进行切割处理

在衬底上形成LED芯片外延层

形成多个单颗LED芯片的电极

S10

S20

S30

S40

CN108666212A权利要求书1/1页

2

1.一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

根据单颗LED芯片尺寸将所述衬底进行切割处理；

在所述衬底上形成LED芯片外延层；

形成多个单颗LED芯片的电极。

2.根据权利要求1所述的LED芯片制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成LED芯片外延层，包括：

在所述衬底上依次形成缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层。

3.根据权利要求2所述的LED芯片制作方法，其特征在于，形成多个单颗LED芯片的电极，包括：

对所述LED芯片外延层进行刻蚀，形成第一台阶，所述第一台阶底面到达所述N型半导体层中；

在所述N型半导体层和所述P型半导体层上分别形成N型电极和P型电极。

4.根据权利要求1所述的LED芯片制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成LED芯片外延层，包括：

在所述衬底远离切割划痕一侧的表面或者在所述衬底存在切割划痕的一侧的表面形成LED芯片外延层。

5.根据权利要求1所述的LED芯片制作方法，其特征在于，在形成多个单颗LED芯片的电极之后，还包括：

依次进行解理、裂片和扩晶形成多颗LED芯片。

6.根据权利要求5所述的LED芯片制作方法，其特征在于，在进行所述裂片之前还包括：对所述衬底进行减薄处理和抛光处理。

7.根据权利要求1所述的LED芯片制作方法，其特征在于，根据单颗LED芯片尺寸将所述衬底进行切割处理包括：

采用锯片切割或激光切割根据单颗LED芯片尺寸将所述衬底进行切割处理。

CN108666212A说明书1/5页

3

一种LED芯片制作方法

技术领域

[0001]本发明实施例涉及LED制造技术，尤其涉及一种LED芯片制作方法。

背景技术

[0002]发光二极管(LightEmittingDiode,LED)是一种能发光的固态半导体电子元件，由于其发光效率高，颜色范围广，使用寿命长，广泛应用于指示灯、显示屏、照明等技术领域。

[0003]传统的LED制作方法中，首先通过金属有机化合物化学气相沉积(Metal-organic

ChemicalVaporDeposition,MOCVD)工艺在衬底外延生长外延层，再经过蒸镀、光刻形成外露的电极，随后进行切割，以得到多个单颗LED芯片。但是传统的LED制作方法在切割裂片过程中容易损伤已经形成的外延层。

[0004]在LED芯片制造工艺的发展