- 0
- 0
- 约3.44万字
- 约 84页
- 2026-05-02 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119486659A
(43)申请公布日2025.02.18
(21)申请号202380031935.3
(22)申请日2023.03.27
(30)优先权数据
17/707,1532022.03.29US
(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.09.29
(86)PCT国际申请的申请数据
PCT/US2023/0164152023.03.27
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2023/192180EN2023.10.05
(71)申请人脊柱引导实验室有限责任公司地址美国波多黎各
(72)发明人艾伯特·Y·达维多夫
维韦克·R·库马尔
希旺·拉凯什·特里韦迪
(74)专利代理机构北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)11446
专利代理师谢清萍武玉琴
(51)Int.Cl.
A61B5/11(2006.01)
A61B5/107(2006.01)
A61B90/10(2006.01)
G06T7/73(2006.01)
H04N13/275(2006.01)
权利要求书2页说明书19页附图39页
(54)发明名称
用于精确定位人体头部的装置、系统和方法
(57)摘要
CN119486659A本公开提供了用于在空间
您可能关注的文档
- CN119486105A 半导体结构及其制造方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486106A 一种半导体结构的制作方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486109A 半导体结构及其制造方法、存储系统 (长江存储科技有限责任公司).docx
- CN119486117A 半导体结构的制造方法及半导体结构 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486123A 存储装置及其制备方法 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486125A 半导体器件及制造半导体器件的方法 (爱思开海力士有限公司).docx
- CN119486126A 存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486158A 一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法 (深圳市亚尔讯科技有限公司).docx
- CN119486181A 一种半导体器件及其制作方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).docx
- CN119486182A 一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
最近下载
- 湖南省长沙市雨花区明德洞井中学2024-2025学年七年级下学期期末考试数学试题(教师版).docx VIP
- 2026年广东省七年级下学期期中历史试卷及答案.docx VIP
- 2026年天津市部分区中考一模道德与法治试卷和答案.docx VIP
- 课题开题报告:教育家精神在当代教育实践中的传承与创新研究.docx VIP
- 【微训练】20天 背默填 玩转60篇(高语名默循环练)-教师版.docx VIP
- 变风量空调系统VAV系统.pptx VIP
- 信息技术领域“嵌入式可重构移动媒体处理核心技术”重点项目.doc VIP
- 信息技术领域面向软件无线电的宽带数据变换和可重构射频集成电路.doc VIP
- 六年级语文下册《文言文二则》课件.pptx VIP
- 《中医外科学》(七版全).doc VIP
原创力文档

文档评论(0)