- 1
- 0
- 约5.1万字
- 约 73页
- 2026-05-02 发布于山西
- 举报
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119487101A
(43)申请公布日2025.02.18
(21)申请号202380051531.0
(22)申请日2023.05.05
(30)优先权数据
FR22042872022.05.05FR
(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.01.02
(86)PCT国际申请的申请数据
PCT/EP2023/0620072023.05.05
(87)PCT国际申请的公布数据
WO2023/214052FR2023.11.09
(71)申请人阿科玛法国公司地址法国科隆布
(72)发明人J·朱安内奥G·勒
S·格拉韦拉特G·文森特R·奥德里
(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所
11105
专利代理师李玉钢
(51)Int.Cl.
C08G61/12(2006.01)
C08G65/40(2006.01)
权利要求书8页说明书30页附图1页
(54)发明名称
用于制备聚醚酮酮的方法
(57)摘要
CN119487101A本发明涉及用于制造聚醚酮酮的方法,其包含:一使芳香族醚或芳香族醚的混合物(其包含至少50摩尔%的1,3一双(4一苯氧基苯甲酰基)苯、1,4一双(4一苯氧基苯甲酰基)苯、或其混合物,相对于(一种或多种)芳香族醚
您可能关注的文档
- CN119486106A 一种半导体结构的制作方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx
- CN119486109A 半导体结构及其制造方法、存储系统 (长江存储科技有限责任公司).docx
- CN119486117A 半导体结构的制造方法及半导体结构 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486123A 存储装置及其制备方法 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486125A 半导体器件及制造半导体器件的方法 (爱思开海力士有限公司).docx
- CN119486126A 存储装置、存储装置的制造方法及半导体装置 (深圳市昇维旭技术有限公司).docx
- CN119486158A 一种低正向压降的肖特基二极管及其制造方法 (深圳市亚尔讯科技有限公司).docx
- CN119486181A 一种半导体器件及其制作方法 (合肥晶合集成电路股份有限公司).docx
- CN119486182A 一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
- CN119486182B 一种纵向紧凑型沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 (泰科天润半导体科技(北京)有限公司).docx
原创力文档

文档评论(0)