CN119517754A 半导体器件及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119517754A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202411172219.X

(22)申请日2024.08.26

(30)优先权数据

63/578,4352023.08.24US

63/608,9212023.12.12US

18/401,9492024.01.02US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹

(72)发明人吴仓聚林士哲蔡承竣巫秉融柯皓文

(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理

有限公司11409

专利代理师章社杲李伟

(51)Int.Cl.

H01L21/50(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

H01L23/48(2006.01)

H01L23/367(2006.01)

权利要求书2页说明书14页附图28页

(54)发明名称

半导体器件及其形成方法

(57)摘要

CN119517754A方法包括：沿晶圆形成第一接合焊盘；将第一管芯接合至第一组第一接合焊盘，第一管芯电连接至晶圆；在晶圆上方和第一管芯周围沉积间隙填充电介质；在间隙填充电介质中形成开口；形成与第二组第一接合焊盘物理接触的第一有源贯穿通孔以及与第三组第一接合焊盘物理接触的第