任务一认识接近开关霍尔效应71课件讲解.pptxVIP

任务一认识接近开关-霍尔效应

霍尔效应的产生是运动电荷在磁场作用下受到洛仑兹力作用的结果。如图1-2所示,把N型半导体薄片放在磁场中,通以固定方向的电流i(从a点至b点),那么半导体中的载流子(电子)将沿着与电流方向相反的方向运动。从物理学上讲,任何带电质点在磁场中沿磁力线垂直方向运动时,均受到磁场力的作用,这个力又称为洛伦兹力。1.霍尔效应

由于洛伦兹力,电子向一边偏移,并形成电子积累,而另一图1-2霍尔效应边则积累正电荷,于是形成了电场。该电场将阻止运动电子继续偏移,当电场力与洛伦兹力相等时,电子的积累便达到了动态平衡。这时元件c、d两端之间建立的电场称为霍尔电场,相应的电动势称为霍尔电动势。1.霍尔效应

1.霍尔效应霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率与电子迁移率的乘积。若要霍尔效应强,则希望有较大的霍尔常数,因此要求霍尔片材料有较大的电阻率和载流子迁移率。一般金属材料载流子迁移率很高,但电阻率很小;而绝缘材料电阻率极高,但载流子迁移率极低,故只有半导体材料才适于制造霍尔片。目前常用的霍尔元件材料有锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。其中N型锗容易加工制造,其霍尔常数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好,其霍尔常数、温度性能同N型锗。锑化铟对温度最敏感,尤其在低温范围内温度系数大,但在室温时其霍尔常数较大。砷化铟的霍尔常数较小,温度系数也较小,输出特性线性度好