GBT 44937-3：2025 辐射发射测量 表面扫描法.pptxVIP

GB/T44937-3:2025辐射发射测量表面扫描法

目录

02

测量设备要求

01

标准概述

03

测量步骤规范

04

数据分析方法

05

合规性评估

06

应用与维护

标准概述

01

标准背景与范围

国际标准转化

本标准等同采用IECTS61967-3:2014国际标准，实现与国际电磁兼容测量技术的同步，为集成电路辐射发射测量提供统一规范。

适用对象界定

明确适用于各类集成电路芯片及模块的电磁辐射发射特性测量，覆盖从研发到质量控制的完整产品周期。

技术边界划分

规定测量频率范围、设备精度要求和环境条件等关键技术参数，确保不同实验室测量结果的可比性。

产业需求响应

针对5G、物联网等高集成度芯片的电磁干扰问题，提供标准化解决方案以支撑行业技术升级。

辐射发射测量定义

电磁干扰量化

通过测量集成电路工作时向空间辐射的电磁场强度，量化其电磁干扰（EMI）水平，评估对周边电子设备的影响程度。

区别于传统远场测量，本标准聚焦芯片表面3cm范围内的近场辐射特性，更精准反映集成电路本身的发射特性。

定义包括电场强度、磁场强度和功率密度等核心测量参数，建立完整的辐射发射表征指标体系。

近场辐射特性

参数体系构建

表面扫描法基本原理

通过正交探头测量和数学建模，重构芯片表面的三维电磁场分布，实现辐射源的精确定位。

采用微型探头在集成电路表面进行二维精密扫描，获取空间电磁场分布图谱，解析辐