CN119650447A 一种金属栅极填充工艺的温度稳定性的监控方法及装置 （上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119650447A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202311196588.8

(22)申请日2023.09.15

(71)申请人上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司

地址201807上海市嘉定区娄陆公路497号

(72)发明人李金榜胡彬彬

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227

专利代理师姚璐华

(51)Int.Cl.

H01L21/66(2006.01)

H01L21/67(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

一种金属栅极填充工艺的温度稳定性的监

控方法及装置

(57)摘要

CN119650447A本发明公开了一种金属栅极填充金属铝的温度稳定性的监控方法及装置，应用于半导体制备领域，该方法包括：获取标准叠层电阻值，若校验标准叠层电阻值合理，则将标准叠层电阻值作为第一标准叠层电阻值；第一标准叠层电阻值为工艺温度是第一预设温度时，对应的叠层电阻值；对制备形成的金属栅极的叠层结构的阻值进行测量，得到叠层电阻值；若叠层电阻值大于第一标准叠层电阻值，则确定工艺温度高于第一预设温度。本发明通过在工艺填充后形成的金属栅极的叠层结构的阻值进行测量，进而确定金属铝填充时的工艺温度，能够更准