AIDC系列深度（六）_从柜外到柜内_AI电源升级的两场战役_19页_4mb.pptxVIP

投资逻辑：随着GPU/ASIC单芯片功耗及整柜功率持续提升，若供电电压保持不变，传输电流将同步上升，而线路损耗与电流平方成正比，铜耗、发热、线缆及空间约束随之加剧。另一方面，GPU/ASIC核心电压长期维持在约1V附近，芯片侧无法再通过提高电压降低电流。因此，AI电源升级沿两条路径展开：前端通过升压降低远距离传输电流，后端通过缩短低压大电流传输路径降低PDN电阻。第一场战役：升压降电流，800VDC推动供电架构由设施侧向服务器内部持续高压化。柜外侧，Sidecar通过兼容现有480Vac基设施实现800VDC快速导入，巴拿马通过中压侧一体化压缩传统供电链路，SST则以中压直转800VDC为长期演进方向。随着800V进一步进入ITRack，柜内又形成Shelf级800V→50V与Tray级800V→12V/6V两类路径，前者更强调对现有服务器供电体系的兼容，后者则将高压进一步推近ComputeTray甚至GPU，通过减少中间转换级和低压大电流传输距离提升功率密度。第二场战役：近距降电阻，800V向板级下沉,三次电源由分立走向模块/VPD。800V板级直降需要在显著小于传统机架电源的板级空间内完成高变比转换，为压缩磁性器件体积，开关频率由数百kHz向接近1MHz提升，高频工况进一步放大GaN低开关损耗和