IEC 63229-2021 半导体器件 碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类 标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices-Classificationofdefectsingalliumnitrideepitaxialfilmonsiliconcarbidesubstrate

摘要

随着第三代半导体产业的快速发展，碳化硅衬底上氮化镓（GaN-on-SiC）外延材料作为高频高功率微波器件和电力电子器件的核心基础材料，其质量控制和缺陷管理已成为产业链上下游共同关注的关键议题。然而，在该标准发布之前，国内外缺乏统一的GaN-on-SiC外延膜缺陷分类方法，不同企业和研究机构采用各自的缺陷定义和检测方法，导致产品质量评价缺乏可比性，严重制约了产业规模化发展和国际贸易往来。IEC63229-2021《半导体器件——碳化硅衬底上氮化镓外延膜缺陷的分类》由国际电工委员会半导体器件技术委员会（IEC/TC47）组织制定，于2021年4月7日正式实施。该标准系统规定了GaN-on-SiC外延膜中各类缺陷的术语定义、分类体系、特征描述及判定方法，涵盖了位错、层错、点缺陷、表面缺陷和体缺陷等多种缺陷类型。该标准的发布填补了第三代半导体外延材料缺陷分类领域的国际标准空白，为器件设计人员、材料供应商和检测机构提供了统一