极化诱导的p-AlxGa1-xN电子阻挡层的n-ZnO_p-GaN 异质结发光二极管.docVIP

  极化诱导的 p-AlxGa1-xN 电子阻挡层的 n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管# 张赫之，申人升，梁红伟，刘远达，郭浩，房硕，张克雄，杜国同** 5 10 （大连理工大学物理与光电工程学院，辽宁 大连 116024） 摘要：本文研究了极化诱导的变组分 p-AlxGa1-xN 电子阻挡层对于 n-ZnO/p-GaN 异质结发光 二极管发光性质的影响。与没有电子阻挡层的和带有不变组分的 p-Al0.4Ga0.6N 电子阻挡层 的 n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管相比，极化诱导的电子阻挡层能够有效的阻挡电子从 n-ZnO 注入到 p-GaN 中，并且有效的提高了空穴从 p-GaN 注入到 n-ZnO 中。从这个器件的截 面发光谱中，ZnO 相关的紫外发射峰占主要发光地位。这篇文章会从极化电荷和能带理论两 个方面讨论极化诱导的变组分电子阻挡层的机理。这个研究显示出了极化诱导的电子阻挡层 可以提高 n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管的器件性能。 关键词：MOCVD；ZnO；GaN；LED 中图分类号：TN312 15 n-ZnO/p-GaN heterojunction light emitting diodes with a polarization-induced graded-p-AlxGa1-xN electron blocking layer Zhang Hezhi, Shen Rensheng, Liang Hongwei, Liu Yuanda, Guo Hao, Fang Shuo, 20 25 30 35 40 Zhang Kexiong, Du Guotong (School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, LiaoNing DaLian 116024) Abstract: n-ZnO/p-GaN heterojunction light emitting diodes with a polarization-induced graded-p-AlxGa1-xN electron blocking layer (PIEBL) were fabricated. Comparing with n-ZnO/p-GaN and n-ZnO/p-Al0.4Ga0.6N/p-GaN LEDs, the PIEBL can effectively block the electron injecting from ZnO to GaN and promote holes injecting from GaN to ZnO. The dominated ZnO related ultraviolet (UV) emission was observed from edge emission of this device. The mechanism of PIEBL was also discussed in term of polarization and energy band theory. This study suggests that the PIEBL is an excellent electron blocking layer for ZnO based light emitting diodes and laser diodes. Keywords: MOCVD; ZnO; GaN; LED 0 引言 由于在常温下 ZnO 的禁带宽度达到了 3.37eV，激子结合能达到了 60meV，所以 ZnO 是 一种很好的材料用来制作发光二极管和激光器件[1]。然而，由于缺乏稳定的和高质量的 p 型 ZnO，目前制作 ZnO 发光二极管仍然很难。我们知道，p 型 GaN 是一个理想的 p 型 ZnO 的 替代品，因为他们具有相似的晶体结构和能带宽度，并且已经有了 n-ZnO/p-GaN 发光二极 管的相关报道[2]。n-ZnO/p-GaN 发光二级管的劣势是有很宽发光范围和从 p 型 GaN 和 n 型 ZnO 两侧同时发光，发光范围从 360 nm 到 550 nm。这样，一个电子阻挡层是很必要引入来 增强 ZnO 层的发光。最常见的电子阻挡层对于 n-ZnO/p-GaN 发光二极管来说是 SiO2和 MgO， 例如，MIS 结构[3]，n-ZnO/SiO2/p-GaN[4]和 n-ZnO/i-MgO/p-GaN[5]结构。最近，因为 AlN [6] 或者 AlGaN[7]具有很大的导带带阶，所以这两种材料已经是被认为是理想的电子阻挡层。不 基金项目：国