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第3l卷 第4期 Vol1．31 NO．4
2012年 12月 成都大学学报(自然科学版)
JournalofChengduUniversity(NaturalScienceEdition) Dec．20l2
文章编号：1004—5422(2O12)04—0324—03
砷化镓光导开关 中流注 自发辐射
实验的理论分析
刘 鸿 ，郑 理 ，杨洪军 ，杨 维 ，郑勇林
(1．成都大学 电子信息工程学院，四川 成都 610106；2．成都工业学院机电工程系，四川 成都 611730)
摘 要 ：分析了高增益砷化镓光导开关中流注(即电流丝)一端不同辐射波长的 自发辐射实验现象，导出了不
同辐射波长的辐射复合系数之间的关系，拓展 了电流丝的自发辐射随电流丝电流变化的数学模型．计算结果表
明，丝电流相同时流注 自发辐射的其他峰值强度略小于 890llnl自发辐射强度．
关键词 ：砷化镓光导开关；电流丝；辐射复合系数；辐射强度
中图分类号：TN365 文献标识码：A
波长 的不同而变化，大约从辐射波长 876nl／l至
0 引 言
890nlTl的15rim波长间隔之间存在4个相对发光强
光导开关 (PhotoconductiveSemiconductorSwitch， 度峰值，并随波长增加依序一个比一个较高，辐射波
PCSS)较之常规的脉冲产生器件具有独特的优势， 长大约为890nlTl的辐射强度峰值最大，另外3个辐
高增益砷化镓光导开关的物理机理对于光导器件的 射强度峰值对应的辐射波长分别大约为， =885
性能设计和工程应用具有重要意义n ，研究高增 nlTl，=881nnl和 =876nrl1．上述4个辐射强度峰
益砷化镓光导开关的物理机理，必须研究流注，即电 值以及辐射波长 =875nnl的辐射强度之间的比
流丝，在其顶部的辐射效应．在前期工作中，本课题 值[5大约为，
组已经导出了砷化镓光导开关流注顶部的单色光 ：，鼹5：，88l：I876：
(890nm)自发辐射公式 1．但砷化镓材料对890Bin 1．3095：1．2857：1．2381：1．1905：1．08 (1)
辐射波长的吸收系数较小，吸收长度≥50tan，此意
味着 890nrn辐射波长的光致电离效应有限．由于砷 2 基本理论
化镓材料对辐射波长较小的自发辐射的吸收系数较 由参考文献[16]中的公式(2)和(3)可以得到从
大，因此有必要进一步研究辐射波长 890nln的 流注发出的波长为 的光子在单位时间通过单位
自发辐射强度 ． 面积进入紧邻流注顶部的区域内的光子数为，
本研究导出了不同辐射波长的辐射复合系数之 △ r (1一 ) 11, ，
— 一
× × 一 ×
间的关系，拓展了流注 自发辐射随丝电流变化的数 Ch
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