参与福岛核电站救援的日本机器人.pdfVIP

lnform ation 动 态 MEMS器件低成本圆片级低温 级低温键合方法 。 参与福岛核 电站救援的 日本 键合技术的研究进展 这一方法简单、可靠、适合大规 机器人 MEMSN／EMS较为成熟的封装工 模加工工艺，它的成功应用将大大降低 日本千叶工业大学、东北大学及国 艺一键合工艺，多数是在高温条件下进 MEMS器件和系统的制作成本。 际救援系统研究机构 (IRS)于 2011 行，但是高温会对 MEMS传感器产生 读者服务卡编号 024][ 年 6月8日公布，为应对福岛核电站事 不 良影响，造成器件不稳定甚至失效。 故，由三方组成的一个研究小组对救灾 因此 ，急需开发适用于 MEMS传感器 机器人 “Quince”进行了相应改造 ，即 的低温键合工艺。尤其是近几年，随着 采用三氯化铁为插层剂 ，我 将进入反应堆 内部进行作业，主要用于 生化传感器和射频器件的快速发展，对 国成功合成两层以上一阶次 在辐射量较高的反应堆地下积聚的污 低温键合封装的需求 日益增强。 的石墨烯插层化合物 染水进行水位计设置和水样采集。 局域加热键合技术是低温键合技 在科技部重大科学研究计划和国 Quince的特点是，能够在堆满瓦砾之 术之一，由于键合过程中只对需要键合 家 自然科学基金 的支持下，中科院半导 处、陡坡及 台阶上快速移动。 的区域进行局部加热，芯片的其他部分 体研究所半导体超晶格国家重点实验 仍处于较低温度，而且键合速度快，热 室谭平恒研究员研究组和英国剑桥大 应力小，大大提高了封装的可靠性。目 学 Ferrari博士研究小组合作，利用三 前，基于 Au．Sn二元系的局域加热低 氯化铁为插层剂，成功合成了两层以上 温键合集中在 Au：Sn=80：2O区域，且 一 阶次石墨烯插层化合物。通过控制反 Au．Sn厚度glam，Au用量大，键合成 应条件和后处理方式，所合成的石墨烯 本高。 插层化合物基本实现了石墨烯的完全 中科院半导体研究所集成技术工 掺杂，空穴浓度可达到 5．8x10Hcm～。 程研究中心的一个研究小组 目前正着 同时，利用拉曼光谱系统地表征了所制 负责此项机器人改造的千叶工业 力于基于Au．Sn二元系中富Sn区域的 备化合物的插层阶次、层 问去耦合和稳 大学未来机器人技术研究中心副所长 局域加热键合技术 。在 Au：Sn 比为 定性。研究结果表 明，插层后 的石墨烯 小柳荣次表示：“目前，由于核辐射情 46：54和 30：70的成分范围，键合层厚 化合物中每一层石墨烯都表现为重掺 况的存在，我们只能掌握一部分反应堆 度小于 31ma，Au厚度0．7pm，键合区 杂下的单层石墨烯行为，且插层化合物 厂房 内部的情况。而通过使用Quince， 温度 280．310oC，成功获得了以具有高 相当稳定。该项研究对各种石墨烯插层 不仅能够掌握污染水的情况，还能掌握 维氏硬度的AuSn2相为主的中间层，实 化合物的合成和相应重掺杂石墨烯的 整个厂房的辐射量和辐射源的情况。机