同质外延单晶CVD金刚石的研究进展.pdfVIP

2011年8月 第4期 金刚石与磨料磨具工程 Aug．2011 第31卷 总第 184期 Diamond＆AbrasivesEngineering No．4 Vo1．31 Seria1．184 文章编号：1006—852X(2011)04—0015—08 同质外延单晶 CVD金刚石的研究进展 朱金凤 满卫东 吕继磊 匡 巧 汪建华 (武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室，武汉 430073) 摘要 金刚石因具有诸多优异的物理化学性能而使其在很多领域都有非常广阔的应用前景。CVD法高 速合成大面积、高质量单晶金刚石一直是人工合成金刚石的研究热点之一。本文首先从基底预处理、生 长参数的优化以及合成工艺的改进这三个方面综述了MPCVD同质外延单晶金刚石的研究进展 ，其次对 国内外CVD外延单晶金刚石的研究进展进行 了简单的介绍，最后对 CVD法合成单晶金刚石的发展方向 进行 了展望。 关键词 单晶金刚石；化学气相沉积；同质外延；生长速率 中图分类号 TQ164 文献标识码 A DOI编码 10．3969／j．issn．1006—852X．2011．04．004 ProgressofhomoepitaxialCVD single-crystaldiamondtechnology ZhuJinfeng ManWeidong LvJilei KuangQiao WangJianhua (ProvincialKeyLaboratoryofPlasmaChemistryandAdvanced Materials，WuhanInstituteofTechnology，Wuhan430073，China) Abstract Owingtoitsvariousexcellentphysicalandchemicalproperties，diamondhasgreatpotentialinmany areas．Therefore，thesynthesisofdiamond，especiallythesynthesisofsinglecrystaldiamondofhighqualityand largeareaathighspeed，hasbecomeafocus．Thispaperfirstlyreviewsthedevelopmentofhomoepitaxialsingle crystaldiamondsynthesizedbyMPCVD(microwaveplasmachemicalvapordeposition)fromthefollowingthree aspects，includingsubstratepretreatment，growthparametersoptimization andthe improvementofsynthesis technology，andthen briefly introducesthedevelopmentsinChinaandoverseasin thisaspect．Finallythe prospectsofhomoepitaxialsingle—crystaldiamondthroughCVDareproposed． Keywords singlecrystaldiamond；chemicalvapordeposition；homoepitaxial；growthrate 电子器件方面，这两方面也是其最具诱惑力的应用领 O 前言 域。单晶金刚石在其他一些方面的应用如精密切削材 金刚石因具有一系列优异的物理化学性能而使其 料方面、光学材料方面等也要优于多晶金刚石，此外， 在诸多领域都有非常广阔的应用前景 1J。人工合成的 宝石级单晶金刚石还可作首饰用 J。