GaN薄膜的表面分析与稳态PL谱研究.pdfVIP

--一一--一--~--一一--一-~一一一一一一一一一一一一一一一一一— — 一‘-— 一— 一— 6aN薄膜的表面分析与稳态PL谱研究 摘 要 \、一乙GaN宽带隙半导体材料具有优异的化学。物‘理稳宇性， 室温下能带宽度为 3.4ev，可用于实现蓝光和紫光发射，在 光电子和微电子领域显示出广阔的应用前景。近几年来，随 着外延生长技术的改进和P型掺杂技术的突破，GaN材料的 应用研究己取得重大进展。GaN基新型光电子器件和高功 率、高温、高速微电子器件的研究正日益引起广泛的重视。 对于光电子器件应用而言，欧姆接触和材料的光学性质是 决定器件性能的关键因素。而欧姆接触和光学性质与实际表 面的组分和结构密切相关。目前，对实际GaN薄膜材料表面 特性尚缺乏系统的研究。TMori等人用XPS和AES方法分析 了未掺杂、P型、n型GaN薄膜表面的组分，发现掺杂使表 面组分发生变化。p型掺杂使表面富嫁，n型掺杂使表面富 氮。Tsasaki等人研究了MOVPE技术生长的GaN/SiC薄膜 的衬底极性依赖性，认为衬底极性 (0001)S,Sic上生长的G aN薄膜表面层为氮，衬底极性 (0001)csic上生长的GaN 薄膜表面层为稼。发现表面层为稼的GaN薄膜易被氧污染， 从而对表面结构和发光特性均产生影响。因此，确定实 N薄膜表面的特性将有助于控制和改善薄膜和器件质 本文在进行半导体表面理论分析及吸附表面(实际表面) 研究的基础上，用XPS和AES电子能谱法分析了RF-MBE 技术生长的GaN薄膜的实际表面组分及各表面元素所处的 化学环境。基于AES的测量结果，利用经验相对灵敏度因 子法对样品表面相对原子含量和污染层厚度进行了评估。并 用Ar离子溅射方法对外延层进行了深度剖析，给出表面及界 面原子含量分布情况。在此基础上结合样品室温吸收谱和室 温稳态光致发光谱理论使 实验结果，探讨了GaN表面特 性与光学性质的物理联系 结果表明:(1)RF-MBE技术生长 西安交迈人学硕士论文 的GaNfSic半绝缘单晶薄膜，表面区域内吸附污染0和C, C主要为物理吸附，而0形成离子吸附和化学吸附。致使表 面区域除GaN相外，存在局域Ga-0键。(2)GaN外延层中 偏离化学比，Ga和N原子含量比约为2，外延层为富Ga的 GaN薄膜。薄膜表面存在氧化物覆盖层，覆盖层厚度为几个 原子层。(3)深度剖析发现外延层中不但含有0和C杂质而且 发现有Si的掺入，分析认为Si来自衬底扩散。(4)杂质0在 GaN带隙中导带底形成杂质带同时引入深受主能级 ((VGA-0 络合物)，使得薄膜室温吸收谱起始边出现在400nm附近，吸 收谱起始边低能移表明带隙变窄.(5)稳态PL谱测量发现宽带 发光峰，其中较强峰位于470nm附近，次强峰位于420nm附 近，较弱峰位于520nm附近。) 论文关键词:GaN薄膜 表面分析 深度剖杯。。谱 论文类型:应用基础 摘 要 一 ~-‘- 口- - ，.- 曰- 一 一 .- .一 .- 口一 -.- 一 种.一 .一 ~一 SurfaceanalysisandPLinvestigationofGaNfilms